[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201680059305.7 | 申请日: | 2016-09-01 |
公开(公告)号: | CN108235789A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 金宪度 | 申请(专利权)人: | 无限股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明电极 半导体层 薄膜型太阳能电池 分隔部 晶粒 基板 穿过 制造 | ||
1.一种薄膜型太阳能电池,包括:
基板;
第一透明电极,所述第一透明电极设置在所述基板上,所述第一透明电极具有第一分隔部;
半导体层,所述半导体层形成在所述第一分隔部中和所述第一透明电极上;
接触部,所述接触部形成为穿过所述第一透明电极和所述半导体层;
第二透明电极,所述第二透明电极形成在所述接触部中和所述半导体层上;以及
第二分隔部,所述第二分隔部形成为穿过所述半导体层和所述第二透明电极,
其中,所述接触部的晶粒的尺寸小于所述第一透明电极的晶粒的尺寸。
2.一种薄膜型太阳能电池,包括依次形成在基板上的第一透明电极、半导体层以及第二透明电极,其中,所述第二透明电极通过穿过所述半导体层和所述第一透明电极而接触所述基板,并且所述第二透明电极的晶粒的尺寸小于所述第一透明电极的晶粒的尺寸。
3.一种薄膜型太阳能电池,包括依次形成在基板上的第一透明电极、半导体层以及第二透明电极,其中,所述第二透明电极通过穿过所述半导体层和所述第一透明电极而接触所述基板,并且所述第一透明电极的反射率高于所述第二透明电极的反射率。
4.一种薄膜型太阳能电池,包括依次形成在基板上的第一透明电极、半导体层以及第二透明电极,其中,所述第二透明电极通过穿过所述半导体层和所述第一透明电极而接触所述基板,并且所述第二透明电极的氧浓度高于所述第一透明电极的氧浓度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜型太阳能电池,其中,所述第二透明电极接触所述第一透明电极的侧表面。
6.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中,所述第二透明电极在所述接触部中接触所述基板的顶部。
7.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中,所述接触部的宽度比所述第一分隔部的宽度和所述第二分隔部的宽度宽。
8.一种薄膜型太阳能电池,包括形成在基板上的前电极、半导体层以及后电极,其中,所述前电极包括具有第一晶粒尺寸的第一区域、以及具有比所述第一晶粒尺寸小的第二晶粒尺寸的第二区域,并且所述第二区域连接到所述后电极。
9.根据权利要求8所述的薄膜型太阳能电池,其中,所述第二区域和所述后电极由相同的透明导电材料形成并形成为一体。
10.一种薄膜型太阳能电池的制造方法,包括:
在基板上形成第一透明电极层的工序;
去除所述第一透明电极层的特定区域以形成第一分隔部的工序,由此形成多个第一透明电极,所述多个第一透明电极彼此间隔开,在所述多个第一透明电极之间具有所述第一分隔部;
在所述多个第一透明电极上形成半导体层的工序;
去除所述半导体层和所述多个第一透明电极的特定区域以形成接触部的工序,由此形成多个半导体图案,所述多个半导体图案彼此间隔开,在所述多个半导体图案之间具有所述接触部;
在所述多个半导体图案上形成第二透明电极层的工序;以及
去除所述多个半导体图案和所述第二透明电极层中的每一者的特定区域以形成第二分隔部的工序,由此形成多个第二透明电极,所述多个第二透明电极通过所述接触部连接到所述多个第一透明电极并且彼此间隔开,所述多个第二透明电极之间具有所述第二分隔部。
11.根据权利要求10所述的薄膜型太阳能电池的制造方法,其中,所述多个第二透明电极在所述接触部中接触所述多个第一透明电极的侧表面和所述基板的顶部。
12.根据权利要求10所述的薄膜型太阳能电池的制造方法,其中,所述接触部的宽度比所述第一分隔部的宽度和所述第二分隔部的宽度宽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无限股份有限公司,未经无限股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680059305.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于生成电力的改进的太阳能电池阵组件系统
- 下一篇:密封剂
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的