[发明专利]用于离子注入系统的低传导性自屏蔽绝缘体

权利要求书

1.一种绝缘体，包括具有第一端和第二端的细长本体，其中，所述细长本体具有界定于其中的一个或多个特征，以及其中，所述一个或多个特征增长从所述第一端到所述第二端的气体传导路径。

2.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括大体上沿轴向延伸到所述细长本体中的切槽。

3.如权利要求2所述的绝缘体，其中，所述切槽从邻近所述第一端和所述第二端中的一个或多个的位置朝各自第一端和第二端的反向延伸。

4.如权利要求2所述的绝缘体，其中，所述切槽大体上呈U形。

5.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括大体上沿径向延伸到所述细长本体中的切槽。

6.如权利要求5所述的绝缘体，其中，所述切槽从邻近所述第一端和所述第二端中的一个或多个的位置朝各自第一端和第二端的反向延伸。

7.如权利要求5所述的绝缘体，其中，所述切槽大体上呈U形。

8.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括与所述细长本体的轴线成非零角度延伸到所述细长本体中的切槽。

9.如权利要求8所述的绝缘体，其中，所述切槽从邻近所述第一端和所述第二端中的一个或多个的位置朝各自第一端和第二端的反向延伸。

10.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述切槽增长沿所述细长本体的表面从所述第一端到所述第二端的气体传导路径。

11.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括自所述细长本体的半径延伸出。

12.如权利要求11所述的绝缘体，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括与所述细长本体的轴线成锐角延伸到所述细长本体中的切槽，以及其中，所述切槽从邻近所述第一端和所述第二端中的一个或多个的位置朝各自第一端和第二端的反向延伸，并且所述第一端和所述第二端均包括切槽。

13.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述细长本体包括电性绝缘的表面。

14.如权利要求1所述的绝缘体，其中，所述细长本体由电性绝缘材料构成。

15.一种离子源，包括：

开孔接地电极；

开孔抑制电极；以及

位于所述开孔接地电极与所述开孔抑制电极之间的绝缘体，其中，所述绝缘体包括具有第一端和第二端的细长本体，其中，所述细长本体具有界定于其中的一个或多个特征，以及其中，所述一个或多个特征增长沿所述细长本体的表面从所述第一端到所述第二端的气体传导路径。

16.如权利要求15所述的离子源，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括大体上沿轴向延伸到所述细长本体中的切槽。

17.如权利要求15所述的离子源，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括与所述细长本体的轴线成非零角度延伸到所述细长本体中的切槽。

18.如权利要求17所述的离子源，其中，所述切槽从邻近所述第一端和所述第二端中的一个或多个的位置朝各自第一端和第二端的反向延伸。

19.如权利要求17所述的离子源，其中，所述一个或多个特征中的一个或多个包括自所述细长本体的半径延伸出。

20.一种形成绝缘体的方法，包括：

形成由绝缘材料制成的绝缘体的本体；

在形成所述本体之后，形成所述本体中的一个或多个特征；以及

一旦形成所述一个或多个特征，便固化所述本体。