[发明专利]磁存储元件

权利要求书

1.一种磁存储元件，其包括：

触头(31；51；61；71；81；91；101)，其包括磁性层部分(34)，该磁性层部分位于传导层部分(32)和非磁性层部分(36)之间，所述磁性层部分具有垂直于所述各层的平面的磁化方向；以及

成角度的传导轨道(42；52；62；72；82；92；102)，其包括通过两个臂(44A，44B)延伸的中央部分，触头完全设置在所述成角度的传导轨道上，

其中，对于每个臂，沿臂的中间轴线(45A，45B)朝向触头流动的电流相对于其中一个臂(44A)主要在电流的左侧与触头的、最靠近该其中一个臂的部分遭遇，并且相对于另一个臂(44B)主要在电流的右侧与触头的、最靠近该另一个臂的部分遭遇。

2.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，传导层部分(32)和非磁性层部分(36)彼此的不同之处在于它们的厚度、它们的组成或它们的结构。

3.根据权利要求1或2所述的磁存储元件，其中，磁性层部分(34)的厚度小于3nm。

4.根据权利要求1所述的磁存储元件(30)，其中，从上方看，触头(31)是盘状的。

5.根据权利要求1所述的磁存储元件(50；60；70；80；90；100)，其中，对于每个臂(44A，44B)，触头的、最靠近臂的部分包括细长部分，该细长部分从上方看在与臂的中间轴线(45A，45B)形成锐角的方向上伸长。

6.根据权利要求5所述的磁存储元件，其中，锐角在30度和60度之间。

7.根据权利要求5所述的磁存储元件(50；60；70；80；90)，其中，两个臂中的至少一个臂的细长部分形成尖端。

8.根据权利要求5所述的磁存储元件(50；60；70；80；90)，其中，两个臂中的至少一个臂的细长部分形成圆形尖端。

9.根据权利要求8所述的磁存储元件(50；60；70；80；90)，其中，圆形尖端具有在1nm和10nm之间的曲线半径。

10.根据权利要求5所述的磁存储元件(50；60；70)，其中，触头(51；61；71)具有沿轴线(54；66；76)伸长的细长形状，并且所述成角度的传导轨道(52；62；72)基本上成直角的角度。

11.根据权利要求5或10所述的磁存储元件(80；90；100)，其中，触头具有中央部分(83；93；103)，该中央部分采用在其中一个臂(44B)的方向上的伸长的矩形的形式并且定位为靠近该其中一个臂的、最靠近另一个臂的边缘。

12.一种对根据权利要求1至11中任一项所述的磁存储元件编程的方法，其包括由将电流从一个臂传递至另一个臂组成的步骤，选择电流的方向以获得所期望的编程。