[发明专利]包含Hf-B-C三元相的新型涂覆材料有效

专利信息
申请号: 201680059998.X 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN108350562B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: H·博瓦蒂;M·阿恩特;H·鲁迪吉尔;J·施内德;K·G·普拉迪普 申请(专利权)人: 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 何志欣
地址: 瑞士普费*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 hf 三元 新型 材料
【权利要求书】:

1.一种涂覆基材,其具有沉积在基材表面上的涂层,所述涂层包含至少一个金属硼碳化物层,其特征是,所述金属硼碳化物层是显示出多晶结构的、由铪、硼和碳的单相形成的三元化合物。

2.根据权利要求1的涂覆基材,其特征是,该三元化合物具有按照原子百分比表达的化学组成,所述化学组成能够由化学式HfuBvCw表达,其中,u+v+w=100,0<v≤35原子百分比,0<w≤35原子百分比,u≤60原子百分比。

3.根据权利要求1或2的涂覆基材,其特征是,所述单相显示出立方晶系固溶体结构或正交晶系结构。

4.一种制造根据权利要求1至3之一的涂覆基材的方法,其特征是,该方法包括以下步骤:

-在涂覆室中提供至少一个待涂覆基材,

-在基材表面的至少一部分上沉积一层三元化合物,其中,所述三元化合物层通过利用PVD技术来产生,其中,至少一个包含二元相HfB2和HfC之组合的靶被用作层沉积的材料源。

5.根据权利要求4的方法,其特征是,所述至少一个靶材显示出具有小于1.5mm的微粒尺寸的二元相区。

6.根据权利要求4或5的方法,其特征是,在三元化合物层的沉积过程中的该基材温度不高于500℃。

7.根据权利要求5或6的方法,其特征是,在三元化合物层的沉积过程中在基材上施加偏电压,其中,偏电压值在-30V至-100V之间。

8.根据权利要求4至7之一的方法,其特征是,在沉积所述三元化合物层的过程中的所述涂覆室内的压力在0.3至0.4帕之间。

9.根据权利要求1至3之一的涂覆基材,其特征是,该基材是滑动组件。

10.根据权利要求1至3之一的涂覆基材,其特征是,该基材是用于机加工的刀具或用于成型加工的工具。

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