[发明专利]包含Hf-B-C三元相的新型涂覆材料有效
申请号: | 201680059998.X | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN108350562B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | H·博瓦蒂;M·阿恩特;H·鲁迪吉尔;J·施内德;K·G·普拉迪普 | 申请(专利权)人: | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 何志欣 |
地址: | 瑞士普费*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 hf 三元 新型 材料 | ||
1.一种涂覆基材,其具有沉积在基材表面上的涂层,所述涂层包含至少一个金属硼碳化物层,其特征是,所述金属硼碳化物层是显示出多晶结构的、由铪、硼和碳的单相形成的三元化合物。
2.根据权利要求1的涂覆基材,其特征是,该三元化合物具有按照原子百分比表达的化学组成,所述化学组成能够由化学式HfuBvCw表达,其中,u+v+w=100,0<v≤35原子百分比,0<w≤35原子百分比,u≤60原子百分比。
3.根据权利要求1或2的涂覆基材,其特征是,所述单相显示出立方晶系固溶体结构或正交晶系结构。
4.一种制造根据权利要求1至3之一的涂覆基材的方法,其特征是,该方法包括以下步骤:
-在涂覆室中提供至少一个待涂覆基材,
-在基材表面的至少一部分上沉积一层三元化合物,其中,所述三元化合物层通过利用PVD技术来产生,其中,至少一个包含二元相HfB2和HfC之组合的靶被用作层沉积的材料源。
5.根据权利要求4的方法,其特征是,所述至少一个靶材显示出具有小于1.5mm的微粒尺寸的二元相区。
6.根据权利要求4或5的方法,其特征是,在三元化合物层的沉积过程中的该基材温度不高于500℃。
7.根据权利要求5或6的方法,其特征是,在三元化合物层的沉积过程中在基材上施加偏电压,其中,偏电压值在-30V至-100V之间。
8.根据权利要求4至7之一的方法,其特征是,在沉积所述三元化合物层的过程中的所述涂覆室内的压力在0.3至0.4帕之间。
9.根据权利要求1至3之一的涂覆基材,其特征是,该基材是滑动组件。
10.根据权利要求1至3之一的涂覆基材,其特征是,该基材是用于机加工的刀具或用于成型加工的工具。
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