[发明专利]叠层体基板、叠层体基板的制造方法、导电性基板、及导电性基板的制造方法

权利要求书

1.一种叠层体基板，其具备：

透明基材；及

叠层体，形成在所述透明基材的至少一个面侧，

所述叠层体具有黑化层及铜层，所述黑化层包含氧、铜、镍，

所述黑化层的膜厚为15nm以上，所述黑化层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni满足下式(1)，

0.1≦O/Ni≦0.8 (1)。

2.根据权利要求1所述的叠层体基板，其中，

相对于所述黑化层中的铜与镍的合计，所述黑化层中的铜的比率按质量比为20％以上80％以下。

3.根据权利要求1或2所述的叠层体基板，其中，

所述铜层的膜厚为80nm以上5000nm以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的叠层体基板，其中，

所述黑化层对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为40％以下。

5.一种叠层体基板的制造方法，用于制造权利要求1至4中的任一项所述的叠层体基板，所述叠层体基板的制造方法包括：

黑化层形成工序，通过干式镀法进行所述黑化层的成膜，

在所述黑化层形成工序中，对所述黑化层进行成膜时，射入所述黑化层的被成膜表面的氧分子数(Γ(O₂))与堆积于所述黑化层的铜原子数(Γ(Ni))满足下式(2)，

2≦Γ(O₂)/Γ(Ni)≦10 (2)。

6.一种导电性基板，其具备：

透明基材；及

金属细线，形成在所述透明基材的至少一个面侧，

所述金属细线是具有黑化配线层与铜配线层的叠层体，

所述黑化配线层包含氧、铜、镍，

所述黑化配线层的膜厚为15nm以上，所述黑化配线层包含的氧原子与镍原子的质量比O/Ni满足下式(1)，

0.1≦O/Ni≦0.8 (1)。

7.根据权利要求6所述的导电性基板，其中，

相对于所述黑化配线层中的铜与镍的合计，所述黑化配线层中的铜的比率按质量比为20％以上80％以下。

8.根据权利要求6或7所述的导电性基板，其中，

所述黑化配线层对波长400nm以上700nm以下的光的平均反射率为40％以下。

9.一种导电性基板的制造方法，其包括，

配线加工工序，对通过权利要求5所述的叠层体基板的制造方法获得的叠层体基板进行配线加工。