[发明专利]谐振子和谐振装置

说明书

本发明提供谐振子和谐振装置。能够在面外折曲的谐振子中抑制寄生模式的产生。谐振子具备：基部；多个振动臂，它们具有压电体和之间隔着该压电体相互对置的一对电极层，被设置为一端与基部的前端连接，且相互空开规定空间地向离开基部的方向延伸；以及连结部，其将多个振动臂中的在施加了电场的情况下向相同方向折曲的振动臂的局部彼此连结起来。

技术领域

本发明涉及多个振动臂以折曲振动模式振动的谐振子和谐振装置。

背景技术

以往，使用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术的谐振装置例如被作为定时装置使用。该谐振装置安装于组装在智能手机等电子设备内的印刷电路基板上。谐振装置具备下侧基板、在自身与下侧基板之间形成腔室的上侧基板以及在下侧基板与上侧基板之间配置于腔室内的谐振子。

例如专利文献1中公开了具备多个振动臂的面外折曲谐振子。在该谐振子中，振动臂在其固定端与基部的前端连接，基部在与前端相反侧的后端与支承部连接。支承部例如与夹设于下侧基板和上侧基板之间的基台连接。在专利文献1的图1的例子中，通过将施加于振动臂的电场设定为互为相反方向，在内侧的振动臂与外侧的2根振动臂之间实现互为相反相位的振动。

专利文献1：日本特许5071058号公报

然而，例如在专利文献1中记载的以往谐振装置中，在所希望的频率中的主要振动模式周边的频率下，产生不必要的振动模式(寄生模式(Spurious Mode))。由此降低主振动的特性。

发明内容

本发明鉴于这样的情况而产生，目的在于抑制寄生模式的产生。

本发明的一个侧表面的谐振子具备：基部；多个振动臂，它们具有压电体和之间隔着该压电体相互对置的一对电极层，被设置为一端与所述基部的前端连接，且相互空开规定空间地向离开所述基部的方向延伸；以及连结部，其将所述多个振动臂中的在施加了电场的情况下向相同方向折曲的振动臂的局部彼此连结起来。

根据本发明，能够在面外折曲的谐振子中抑制寄生模式的产生。

附图说明

图1是示意性地示出本发明的第一实施方式的谐振装置的外观的立体图。

图2是示意性地示出本发明的第一实施方式的谐振装置的构造的分解立体图。

图3是拆下了上侧基板的本发明的第一实施方式的谐振子的俯视图。

图4是沿图1的AA’线的剖视图。

图5是沿图3的BB’线的剖视图。

图6与图3相对应，是拆下了上侧基板的本发明的第二实施方式的谐振子的俯视图。

具体实施方式

[第一实施方式]

以下，参照附图说明本发明的第一实施方式。图1是示意性地示出本发明的第一实施方式的谐振装置1的外观的立体图。另外，图2是示意性地示出本发明的第一实施方式的谐振装置1的构造的分解立体图。

该谐振装置1具备谐振子10和隔着谐振子10设置的上盖30与下盖20。即，谐振装置1依次层叠下盖20、谐振子10、上盖30而构成。

另外，谐振子10与下盖20和上盖30接合，由此密封谐振子10，并形成谐振子10的振动空间。谐振子10、下盖20以及上盖30分别使用Si基板而形成。而且，谐振子10、下盖20以及上盖30通过Si基板彼此相互接合而相互接合。谐振子10和下盖20可以使用SOI基板而形成。

谐振子10是使用MEMS技术制造的MEMS谐振子。此外，在本实施方式中，有关谐振子10，以使用硅基板形成的谐振子为例进行说明，但也可以是使用非晶体Si、SiC、SiGe、Ge、砷化镓、水晶等硅以外的基板形成的谐振子。