[发明专利]磁隧道二极管和磁隧道晶体管有效
| 申请号： | 201680060273.2 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108352446B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 埃斯奥·萨斯奥古鲁;斯特芬·布鲁格尔 | 申请（专利权）人： | 于利希研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 林辉轮 |
| 地址： | 德国于利希市，威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隧道二极管 隧道 晶体管 | ||
1.一种磁隧道二极管（100），包括用于与电路相连的两个端子以及隧道节（160），所述隧道节（160）具有半金属磁体材料层（108）、隧道势垒材料层（110）和自旋无带隙半导体材料层（112）。
2.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）具有固定的磁化方向，以及所述自旋无带隙半导体材料层（112）具有能重构的磁化方向。
3.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述自旋无带隙半导体材料层（112）具有固定的磁化方向，以及所述半金属磁体材料层（108）具有能重构的磁化方向。
4.根据上述权利要求中任一项所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，用于固定所述半金属磁体材料层（108）或自旋无带隙半导体材料层（112）的磁化方向的固定层（104），所述固定层（104）与所述隧道节（160）相邻。
5.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为至少0.1nm。
6.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为最多50nm。
7.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为0.1nm-50nm。
8.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为最多40nm。
9.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为0.1nm-40nm。
10.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为最多30nm。
11.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为0.1nm-30nm。
12.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为至少1nm。
13.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为1nm-50nm。
14.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为1nm-40nm。
15.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为1nm-30nm。
16.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为至少5nm。
17.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为5nm-50nm。
18.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为5nm-40nm。
19.根据权利要求1所述的磁隧道二极管（100），其特征在于，所述半金属磁体材料层（108）的层厚为5nm-30nm。
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