[发明专利]用于沉积多晶硅的反应器

权利要求书

1.一种用于沉积多晶硅的西门子反应器，所述反应器的侧面和顶部由反应器壁划界，底部由基板划界，所述反应器包括多个丝棒、进料气体系统和废气系统，所述多个丝棒通过直接通入电流而加热，并附着于所述基板上，所述进料气体系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于向反应器中通入含硅反应混合物，所述废气系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于从反应器中排出废气，其中，所述进料气体系统和任选地所述废气系统包括至少一个由金属、陶瓷或碳纤维增强碳制成的保护元件，所述保护元件包含多个开口和/或网状孔，其中所述保护元件的开口和网状孔的构造使得只有通过冲洗从所述进料气体系统或废气系统中去除的硅碎片能进入到保护元件下方的进料气体系统或废气系统中，其中所述进料气体系统包括至少一个喷嘴和至少一个与所述喷嘴连接的进料气体管道，以及所述保护元件安装在所述喷嘴中或所述进料气体管道中，其特征在于，所述进料气体系统中的所述保护元件为安装在所述喷嘴的横截面中或所述进料气体管道中的格栅。

2.如权利要求1所述的西门子反应器，其中所述格栅安装在距离所述进料气体管道末端0-500mm处，所述进料气体管道末端定义为所述喷嘴的顶部边缘。

3.如权利要求2所述的西门子反应器，其中所述格栅固定在所述喷嘴的底面。

4.如权利要求2或3所述的西门子反应器，其中所述格栅的所有孔面积之和与所述格栅的总面积的比例K1为0.2-0.8。

5.如权利要求1-3之一所述的西门子反应器，其中所述废气系统包括至少一个废气管道，以及所述保护元件是置于所述废气管道中或置于所述废气系统的基板中的开口中的废气筛。

6.如权利要求1-3之一所述的西门子反应器，其中所述保护元件是悬挂在废气系统的基板中的开口中的废气吊篮。

7.如权利要求6所述的西门子反应器，其中所述废气吊篮在向上朝着基板的方向是敞开的，向下朝着废气管道的方向是闭合的，并且在其壁中具有多个孔。

8.如权利要求7所述的西门子反应器，其中伸入到基板中的开口中的所述废气吊篮的所有孔面积之和与该废气吊篮的面积的比例K2为0.2-0.9。

9.一种生产多晶硅的方法，所述方法包括将包含含硅组分和氢气的反应气体通入到如权利要求1-8之一所述的西门子反应器中，所述反应器包含多个丝棒，所述多个丝棒均通过电极供应电流，因此通过直接通入电流而被加热至将多晶硅沉积在所述丝棒上的温度。