[发明专利]用于快速退火含有铟顶层的薄层堆叠体的方法

权利要求书

1.一种热处理方法，其包括在含有氧气(O₂)的气氛下，用具有500-2000nm的波长的电磁辐射照射包含透明片材，优选玻璃片材的基材，该片材在其表面之一上涂覆有薄层堆叠体，其中所述电磁辐射由面向所述薄层堆叠体放置的发射装置发出，在所述发射装置和所述基材之间产生相对位移以便在短于1秒，优选短于0.1秒的短暂持续时间期间将所述薄层堆叠体升高到至少等于300℃的温度，所述方法的特征在于所述堆叠体的与该气氛接触的被称为顶层的最后层为铟金属层或铟基合金金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶层的单位面积质量，其以每单位面积的金属原子的质量表示，为1至30μg/cm²，优选为3至25μg/cm²。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述顶层是铟基合金层，其包含相对于该合金的金属原子总量超过70％的铟原子，优选超过80％的铟原子。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述顶层是铟锡合金(InSn)层，特别是含有约90％铟原子和10％锡原子的合金的层。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述薄层堆叠体具有至少一个与跟所述气氛接触的顶层不同的导电层，这种导电层为金属层或透明导电氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述薄层堆叠体是低辐射率堆叠体，其在两个介电层之间包括至少一个反射红外辐射的金属层，优选为银层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述薄层堆叠体的倒数第二层，其直接位于与该气氛接触的保护层的下方，是氧化铟锡(ITO)层。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述热处理导致薄层堆叠体的薄层电阻和/或发射率降低至少15％，优选至少20％。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述电磁辐射是激光辐射。

10.根据前一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述激光辐射的波长为900-1100nm，优选950-1050nm。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述激光辐射是以激光线的形式聚焦在所述顶层的平面位置的激光束，所述激光线同时照射所述基材的全部或部分宽度，优选地基材的全部宽度。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，电磁辐射的发射装置是闪光灯。

13.一种用于实施根据前述权利要求中任一项所述的方法的基材，其包含透明片材，优选玻璃片材，该片材在其表面之一上涂覆有薄层堆叠体，其特征在于该堆叠体的与所述气氛接触的被称为顶层(overcoat)的最后层是铟层或铟基合金层，优选为铟锡合金(InSn)层。

14.一种可通过权利要求1至12中任一项所述的方法获得的基材，其包含未淬火的玻璃片材，在玻璃片材的表面之一上涂覆有薄层堆叠体，该薄层堆叠体在两个薄介电层之间包含薄银层，其特征在于，与该气氛接触的薄层堆叠体的最后层是氧化铟或氧化铟锡(ITO)的层，其具有为1-30μg/cm²，优选3-25μg/cm²的以每单位面积的金属原子质量表示的单位面积质量。

15.根据权利要求14所述的基材，其特征在于，所述氧化铟层或氧化铟锡(ITO)层具有表面凸起，其中该表面凸起具有为1-5nm的通过原子力显微镜(AFM)测定的均方差(Ra)，所述凸起的基本构件的大部分具有抛物峰形状。