[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板的上表面中形成多个沟槽；

在每个所述沟槽中形成栅极绝缘膜；

在每个所述沟槽中通过所述栅极绝缘膜形成与所述半导体基板绝缘的栅极电极；

形成包括第一绝缘层和第二绝缘层的层间绝缘膜，其中，所述第一绝缘层覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并且具有比所述第一绝缘层的软化温度低的软化温度，并且在所述层间绝缘膜中于每对相邻的两个所述沟槽之间的位置处设置有接触孔；

在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的所述接触孔起倾斜，以便朝向对应的所述沟槽的中央向上移位，

形成上电极层以覆盖所述层间绝缘膜和所述接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述层间绝缘膜的形成包括：

形成所述第一绝缘层以覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面；

在所述第一绝缘层上形成所述第二绝缘层；

在每对相邻的两个所述沟槽之间的范围内蚀刻所述第二绝缘层；以及

通过在比蚀刻所述第二绝缘层的范围更窄的范围内蚀刻所述第一绝缘层来形成所述接触孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

在对所述第二绝缘层进行蚀刻时，通过经由掩模进行的各向同性蚀刻来蚀刻所述第二绝缘层，

在对所述第一绝缘层进行蚀刻时，通过经由所述掩模进行的各向异性蚀刻来蚀刻所述第一绝缘层。

4.一种半导体器件，包括：

半导体基板；

多个沟槽，其设置在所述半导体基板的上表面中；

栅极绝缘膜，其位于每个所述沟槽中；

栅极电极，其位于每个所述沟槽中并通过所述栅绝缘膜而与所述半导体基板绝缘；

层间绝缘膜，其包括第一绝缘层和第二绝缘层，其中所述第一绝缘层覆盖每个所述栅极电极的上表面和所述半导体基板的上表面，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并且具有比所述第一绝缘层的软化温度低的软化温度，并且在所述层间绝缘膜中于每对相邻的两个所述沟槽之间的位置处设置有接触孔；以及

上电极层，其覆盖所述层间绝缘膜和所述接触孔，

其中，

所述第一绝缘层的上表面是平坦的，

所述第二绝缘层的表面是弯曲的，并且，

所述第二绝缘层的端部的表面从对应的所述接触孔起倾斜，使得朝向对应的所述沟槽的中央向上移位。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述第二绝缘层的中央部的表面是凸曲面，并且，

所述第二绝缘层的所述端部的表面是凹曲面。