[发明专利]固化性树脂膜及第1保护膜形成用片有效
申请号: | 201680060831.5 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN108260356B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 山岸正宪;佐藤明德 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | C09J7/10 | 分类号: | C09J7/10;C09J163/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化 树脂 及第 保护膜 形成 | ||
1.一种固化性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有多个凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜,其中,
所述固化性树脂膜包含重均分子量为200~4000的环氧类热固性成分作为固化性成分,且以5~80质量%含有平均粒径为5~1000nm的填充材料,并且,该固化性树脂膜的厚度为40~60μm,
将所述固化性树脂膜粘贴在具有所述多个凸块的所述半导体晶片的表面,所述多个凸块的平均顶部高度h1为50~400μm、俯视时的平均直径D为60~500μm、及平均间距P为100~800μm,将所述粘贴后的所述固化性树脂膜于100~200℃加热0.5~3小时而使其固化,从而形成保护所述多个凸块的第1保护膜,利用扫描电子显微镜对所述第1保护膜和具有所述多个凸块的半导体晶片的纵向剖面进行观察,此时,
所述多个凸块间的中心位置处的所述第1保护膜的平均厚度h3和所述多个凸块的平均顶部高度h1之比(h3/h1)、及与所述多个凸块接触的位置处的所述第1保护膜的平均厚度h2和所述多个凸块的平均顶部高度h1之比(h2/h1)满足下述式(1)所示的关系:
{(h2/h1)-(h3/h1)}≤0.1·····(1)。
2.一种固化性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有多个凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜,其中,
所述固化性树脂膜包含重均分子量为200~4000的能量线固化性成分作为固化性成分,且以5~80质量%含有平均粒径为5~1000nm的填充材料,并且,该固化性树脂膜的厚度为40~60μm,
将所述固化性树脂膜粘贴在具有所述多个凸块的所述半导体晶片的表面,所述多个凸块的平均顶部高度h1为50~400μm、俯视时的平均直径D为60~500μm、及平均间距P为100~800μm,对所述粘贴后的所述固化性树脂膜在照度50~500mW/cm2、光量100~2000mJ/cm2的条件下照射能量线而使其固化,从而形成保护所述多个凸块的第1保护膜,利用扫描电子显微镜对所述第1保护膜和具有所述多个凸块的半导体晶片的纵向剖面进行观察,此时,
所述多个凸块间的中心位置处的所述第1保护膜的平均厚度h3和所述多个凸块的平均顶部高度h1之比(h3/h1)、及与所述多个凸块接触的位置处的所述第1保护膜的平均厚度h2和所述多个凸块的平均顶部高度h1之比(h2/h1)满足下述式(1)所示的关系:
{(h2/h1)-(h3/h1)}≤0.1·····(1)。
3.一种第1保护膜形成用片,其在第1支撑片的一侧表面上具备权利要求1或2所述的固化性树脂膜。
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