[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池制造装置

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：

使第2导电类型的半导体层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及

使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置所述半导体基板，通过排气装置对所述成膜室内进行真空排气而减压，将原料气体供给到所述成膜室内，利用CVD法使防反射膜从所述半导体基板的受光面侧成膜至所述半导体基板的侧面的工序，

所述载置台具有贯通孔，该贯通孔在与所述半导体基板的抵接面具有开口并贯通所述载置台并且在另一端开口于所述成膜室内，

在所述成膜的工序中，通过所述排气装置，对所述成膜室内进行真空排气且所述贯通孔内成为负压，从而使所述半导体基板紧贴于所述抵接面并使防反射膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半导体基板表面。

2.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：

使第2导电类型的半导体层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及

与设置于成膜室的载置台抵接而载置所述半导体基板，通过排气装置对所述成膜室内进行真空排气而减压，将原料气体供给到所述成膜室内，利用CVD法使薄膜从所述半导体基板的受光面侧成膜至所述半导体基板的侧面的工序，

所述载置台具有贯通孔，该贯通孔在与所述半导体基板的抵接面具有开口并贯通所述载置台并且在另一端开口于所述成膜室内，

在所述成膜的工序中，通过所述排气装置，对所述成膜室内进行真空排气且所述贯通孔内成为负压，从而使所述半导体基板紧贴于所述抵接面并使薄膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半导体基板表面。

3.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：

使第2导电类型的半导体层形成于具有第1导电类型的结晶系的半导体基板的工序；以及

使背面与设置于成膜室的载置台抵接而载置所述半导体基板，通过排气装置对所述成膜室内进行真空排气而减压，将原料气体供给到所述成膜室内，利用CVD法使防反射膜从所述半导体基板的受光面侧成膜至所述半导体基板的侧面的工序，

所述载置台具有从与所述半导体基板的抵接面经由所述半导体基板的边缘部到达外部并且开口于所述成膜室内的槽，

在所述成膜的工序中，通过所述排气装置，对所述成膜室内进行真空排气且所述槽内成为负压，从而使所述半导体基板紧贴于所述抵接面，使防反射膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半导体基板表面。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述成膜的工序是使用除了具有所述槽之外还具有在与所述半导体基板的抵接面具有开口并贯通所述载置台的贯通孔的载置台进行成膜的工序。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

所述成膜的工序包括：

第1减压工序，对所述成膜室进行真空排气而减压至第1压力，使所述贯通孔内或者所述槽内相对于所述成膜室内的压力成为负压；

第2减压工序，进一步减压至第2压力，使所述半导体基板紧贴于所述载置台；以及

原料气体供给工序，将原料气体供给到所述成膜室内。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，

在所述原料气体供给工序中，将所述成膜室的压力维持在所述第1压力以下。

7.一种太阳能电池制造装置，其特征在于，

所述太阳能电池制造装置是CVD装置，该CVD装置具备：

成膜室；

第1电极，配备于所述成膜室内；

第2电极，与所述第1电极对置地设置，兼作载置半导体基板的基板载置台；

气体供给部，将原料气体供给到所述成膜室内；以及

排气部以及排气装置，对所述成膜室内进行真空排气，使得成为负压，

所述基板载置台具有贯通孔，该贯通孔在与半导体基板的抵接面具有开口并贯通所述基板载置台并且在另一端开口于所述成膜室内，

通过所述排气装置，对所述成膜室内进行真空排气且所述贯通孔内成为负压。