[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：

衬底层；

形成于所述衬底层上表面的矩形半导体条，所述矩形半导体条沿第一方向依次设置有第一源区、第一沟道区、漏区、第二沟道区及第二源区，所述第一方向与所述矩形半导体条的长所在的方向平行，所述第一源区设置于所述矩形半导体条的一端，所述第一沟道区靠近所述第一源区，所述漏区设置于所述矩形半导体的中部，所述第二沟道区靠近所述漏区，所述第二源区设置于所述矩形半导体条的另一端，所述第一源区划分为第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述第一沟道区，所述第二源区划分为第三部分和第四部分，所述第三部分靠近所述第二沟道区；

覆盖于所述第一部分外表面的第一栅电介质层；

覆盖于所述第三部分外表面的第二栅电介质层；

覆盖于所述第一栅电介质层的顶端、第一侧面及第二侧面的第一栅区，所述第一侧面和所述第二侧面为所述第一栅电介质层中与所述第一方向和第二方向构成的平面彼此平行相对的两个外表面，所述第一栅区所加电场方向指向所述第一源区，所述第二方向与所述矩形半导体的高所在的方向平行；

覆盖于所述第二栅电介质层的顶端、第三侧面及第四侧面第二栅区，所述第三侧面和所述第四侧面为所述第二栅电介质层中与所述第一方向和所述第二方向构成的平面彼此平行相对的两个外表面，所述第二栅区所加电场方向指向所述第二源区。

2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅区包括：第一栅极、第二栅极及第三栅极；

所述第三栅极覆盖于所述第一栅电介质层的顶端，所述第一栅极沿第二方向覆盖于所述第一栅电介质层的第一侧面及所述第三栅极的第一外表面，所述第二栅极沿所述第二方向覆盖于所述第一栅电介质层的第二侧面及所述第三栅极的第二外表面，所述第一外表面与所述第二外表面为所述第三栅极中与所述第一方向和所述第二方向构成的平面彼此平行相对的两个外表面；

所述第二栅区包括：第四栅极、第五栅极及第六栅极；

所述第六栅极覆盖于所述第二栅电介质层的顶端，所述第四栅极沿所述第二栅电介质层的第三侧面及所述第六栅极的第三外表面，所述第五栅极沿所述第二方向覆盖于所述第二栅电介质层的第四侧面及所述第六栅极的第四外表面，所述第三外表面与所述第四外表面为所述第六栅极中与所述第一方向和所述第二方向构成的平面彼此平行相对的两个外表面。

3.根据权利要求2所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：覆盖于所述矩形半导体条的指定区域上的外延层，所述指定区域包括从所述矩形半导体条的第一部分至第三部分的区域；

所述外延层包括第一外延层、第二外延层及第三外延层，所述第一外延层覆盖于所述第一部分的外表面，所述第一外延层位于所述第一部分与所述第一栅电介质层之间，所述第二外延层覆盖于所述第三部分的外表面，所述第二外延层位于所述所述第三部分与所述第二栅电介质层之间，所述第三外延层覆盖于所述第一部分与所述第三部分之间的矩形半导体条的外表面；

其中，所述第一外延层与所述第一部分构成第一隧穿结，所述第二外延层与所述第三部分构成第二隧穿结。

4.根据权利要求3所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管还包括：设置于所述第一栅电介质层与所述第三栅极之间的第一隔离层；以及，

设置于所述第二栅电介质层与所述第六栅极之间的第二隔离层。