[发明专利]热固性树脂膜、第1保护膜形成用片及第1保护膜的形成方法在审
申请号: | 201680061246.7 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN108140586A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 山岸正宪;佐藤明德 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B32B27/00;H01L21/301;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热固性树脂膜 保护膜 保护膜形成 热固化 支撑片 半导体晶片 表面形成 剪切 凸块 固化 粘贴 加压 | ||
本发明涉及一种热固性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在上述表面形成第1保护膜,在使固化前的该热固性树脂膜以10℃/分的升温速度升温时,该膜在剪切速度1s‑1下的粘度达到100000Pa·s以下的时间为500秒以上。本发明涉及的第1保护膜形成用片具备第1支撑片,并在该第1支撑片的一侧表面上具备该热固性树脂膜。通过在对该热固性树脂膜以0.1Pa以上的压力加压的同时使其发生热固化,从而形成第1保护膜。
技术领域
本发明涉及热固性树脂膜、以及使用了上述热固性树脂膜的第1保护膜形成用片及第1保护膜的形成方法。
本申请基于2015年11月4日在日本提出申请的日本特愿2015-217117号要求优先权,并将其内容援引于此。
背景技术
以往,在将用于MPU、门阵列等的多引脚LSI封装体安装于印刷电路板的情况下,采用的是如下所述的倒装芯片安装方法:作为半导体芯片,使用在其连接焊盘部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等制成的凸电极(凸块)的半导体芯片,通过所谓倒装方式,使这些凸块与芯片搭载用基板上的相应的端子部对置、接触,并进行熔融/扩散接合。
在该安装方法中使用的半导体芯片例如可通过对在电路面形成有凸块的半导体晶片的与电路面相反一侧的面进行磨削、或进行切割以制成单片而得到。在这样的得到半导体芯片的过程中,通常,为了达到保护半导体晶片的电路面及凸块的目的,在凸块形成面粘贴固化性树脂膜并使该膜固化而在凸块形成面上形成保护膜。作为这样的固化性树脂膜,已被广泛利用的是含有通过加热而固化的热固性成分的树脂膜,作为具备这样的热固性树脂膜的保护膜形成用片,已公开了在上述膜上层叠具有特定的高温弹性模量的热塑性树脂层、并进一步在上述热塑性树脂层上的最上层层叠在25℃下为非塑性的热塑性树脂层而成的片材(参见专利文献1)。根据专利文献1,该保护膜形成用片的保护膜的凸块填充性、晶片加工性、树脂密封后的电连接可靠性等优异。
然而,由热固性树脂膜形成的保护膜在某些情况下存在下述问题:有时会在其中含有气泡。如果在保护膜中存在气泡,则会由此导致凸块形成面与保护膜的密合性降低、或相对于保护膜的电路面及凸块的保护能力下降等使得保护膜无法充分地发挥出其功能的可能性。另外,如果在保护膜中存在气泡,则在该保护膜因回流焊等被加热时,会因气泡膨胀而导致凸块形成面与保护膜的密合性降低,在气泡急剧膨胀的情况下,会因保护膜破裂而导致保护膜与半导体芯片发生分离,或以电路面、凸块等为代表地发生半导体芯片的破损。并且,就专利文献1中公开的保护膜而言,其是否能够抑制气泡的含有也是不确定的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-028734号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供能够在凸块形成面形成气泡的含有得到了抑制的保护膜的热固性树脂膜、以及使用了上述热固性树脂膜的保护膜形成用片及保护膜的形成方法。
解决问题的方法
本发明提供一种热固性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在上述表面形成第1保护膜,其中,使固化前的上述热固性树脂膜以10℃/分的升温速度升温时,其在剪切速度1s-1下的粘度达到100000Pa·s以下的时间为500秒以上。
另外,本发明提供在第1支撑片的一侧表面上具备上述热固性树脂膜的第1保护膜形成用片。
另外,本发明提供第1保护膜的形成方法,该方法包括:通过在对上述热固性树脂膜以0.1Pa以上的压力加压的同时使其发生热固化而形成第1保护膜。
发明的效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造