[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，

存在In单质相和Cu₁₁In₉化合物相，所述In单质相及所述Cu₁₁In₉化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu₁₁In₉)在0.01以上3以下的范围内，

所述Cu₁₁In₉化合物相的平均粒径为150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。

2.权利要求1中所述的溅射靶，其特征在于，所述In单质相的平均粒径为1mm以下。

3.根据权利要求1或权利要求2中所述的溅射靶，其特征在于，其进一步含有作为Na化合物的NaF、NaCl、Na₂S、Na₂Se中的1种或2种以上，该Na化合物的平均粒径为10μm以下。

4.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，其进一步含有作为K化合物的KF、KCl、K₂S、K₂Se中的1种或2种，该K化合物的平均粒径为10μm以下。

5.根据权利要求2所述的溅射靶，其特征在于，其进一步含有作为K化合物的KF、KCl、K₂S、K₂Se中的1种或2种，该K化合物的平均粒径为10μm以下。

6.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，其进一步含有作为K化合物的KF、KCl、K₂S、K₂Se中的1种或2种，该K化合物的平均粒径为10μm以下。

7.一种溅射靶的制造方法，其制造权利要求1至权利要求6中任一项所述的溅射靶，其特征在于，包括

In-Cu合金粉准备工序，即通过喷射温度700℃以上900℃以下的气体雾化，准备In-Cu合金粉，所述In-Cu合金粉具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu₁₁In₉化合物相，所述In单质相及所述Cu₁₁In₉化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu₁₁In₉)在0.01以上3以下的范围内，氧浓度为500质量ppm以下，平均粒径为125μm以下；和

烧结工序，即烧结包含所述In-Cu合金粉的原料粉末。

8.一种溅射靶的制造方法，其制造权利要求1至权利要求6中任一项所述的溅射靶，其特征在于，包括

原料调配工序，即称量Cu原料和In原料，以成为In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成；

熔融工序，即将所述Cu原料及In原料加热至1100℃以上熔融而形成熔液；

铸造工序，即将所述熔液注入铸模，并以10℃/min以上的冷却速度冷却至50℃以下。