[发明专利]研磨用组合物

说明书

本发明提供一种可实现表面缺陷的抑制和雾度的降低的研磨用组合物。研磨用组合物包含磨粒、选自具有1，2‑二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少一种水溶性高分子、以及碱化合物，且利用动态光散射法所测定的研磨组合物中的粒子的平均粒径为55nm以下。研磨用组合物优选进一步包含非离子性表面活性剂。另外，研磨用组合物优选还包含多元醇。

技术领域

本发明涉及一种研磨用组合物。

背景技术

利用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)的硅晶片的研磨通过进行3阶段或4阶段的多阶段研磨而实现高精度的平坦化。对于在最终阶段的研磨工序中所使用的浆料，通常使用羟乙基纤维素(HEC)和聚乙烯醇(PVA)等水溶性高分子。

例如，在日本专利特开2012-216723号公报中公开有如下研磨用组合物，其包含选自具有1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少1种水溶性高分子、以及碱。

发明内容

然而，近年来，要求以更严格的水平抑制表面缺陷、降低表面的雾度(haze)。

本发明为了解决该问题而完成，其目的在于提供一种可降低表面缺陷和雾度的研磨用组合物。

根据本发明的实施形态，研磨用组合物包含磨粒、选自具有下述通式(1)所表示的1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少一种水溶性高分子、以及碱化合物，且利用动态光散射法所测定的研磨组合物中的粒子的平均粒径为55nm以下。

[化学式1]

式中，R¹、R²和R³分别独立地表示氢原子或有机基团，X表示单键或键链，R⁴、R⁵和R⁶分别独立地表示氢原子或有机基团，R⁷和R⁸分别独立地表示氢原子。

根据本发明的实施形态，对于研磨用组合物而言，利用动态光散射法所测定的研磨组合物中的粒子的平均粒径为55nm以下。通常，若将研磨组合物中的粒子的平均粒径设为55nm以下，则被研磨面变为疏水性，表面缺陷数、雾度反而增加。另外，在研磨组合物中的粒子的平均粒径较小的情况下，双电层引斥力导致粒子容易再附着于研磨后的晶片表面成为微粒，因此存在缺陷数增加的情况。但是，对于上述包含水溶性高分子和碱化合物的研磨用组合物而言，即使减小研磨组合物中的粒子，也可以将被研磨面维持为亲水性。因此，根据本发明的实施形态，通过将研磨组合物中的粒子的平均粒径设为55nm以下，可实现研磨后的硅晶片的表面缺陷的抑制和雾度的降低。

附图说明

图1是表示实施例7、实施例13、以及实施例14的碱化合物的配合量与缺陷数和雾度值的关系的图表。

图2是表示实施例27、比较例7、以及比较例8的磨粒的平均粒径与缺陷数和雾度值的关系的图表。

图3是表示比较例9～比较例12的磨粒的平均粒径与缺陷数和雾度值的关系的图表。

具体实施方式

对本发明的实施形态进行详细说明。

本发明的实施形态的研磨用组合物COMP1包含磨粒、选自具有下述通式(1)所表示的1，2-二醇结构单元的乙烯醇系树脂中的至少一种水溶性高分子、以及碱化合物，且利用动态光散射法所测定的研磨组合物中的粒子的平均粒径为55nm以下。

[化学式1]