[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201680061569.6 | 申请日: | 2016-09-05 |
公开(公告)号: | CN108352294B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 柳次英;诸成泰;崔圭鎭;金濬;郑奉周;朴庆锡;金龙基;金哉佑 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687;H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处仁区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1.一种衬底处理装置,其特征在于,包括:
具有内部空间的套管组合件,在所述内部空间中通过层压多个层压板来处理及组装多个衬底,所述多个层压板中的每一个包括注入部分及排气孔;
衬底固持器,其配置成以多极方式将所述多个衬底支撑在所述内部空间中;
供应管线,其连接到所述多个层压板的一个注入部分以供应处理气体;以及
排气管线,其连接到多个排气孔中的一个以排出所述处理气体,
其中所述多个层压板中的每一个包括:
具有表面积的板;
中空部分,其提供于所述板的中心部分中以使得所述衬底固持器能够移动;以及
多个突起部分,其中每一个在所述板的圆周上从第一表面及第二表面中的至少一个表面突出,所述第一表面及所述第二表面面向彼此,
其中所述注入部分包括:
具有向其中供应所述处理气体的扩散空间的主体,且所述主体的至少一部分打开以使得所述处理气体从所述主体的面向所述排气孔的一侧注入;以及
引导构件,设置在所述主体上以调整所述处理气体的流动。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述注入部分设置在所述板的一侧上,及
所述突起部分包括:
一对第一突起构件,其在横越用以将所述处理气体流从所述板的一侧注入到另一侧的所述处理气体的注入方向的方向上在所述板的两侧上彼此间隔开;以及
一对第二突起构件,其连接到所述第一突起构件及在所述处理气体的所述注入方向上彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述主体能够分离地插入到所述突起部分中及安放在所述板中。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述引导构件以多个提供以便在横越所述处理气体的注入方向的方向上彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,供应孔限定在所述板及所述主体中的每一个中,及
所述板的所述供应孔与所述主体的所述供应孔对齐以提供所述处理气体移动经过的路径。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,所述主体与所述突起部分集成,及
所述注入部分进一步包括在所述主体的一侧中限定的主要注入孔及在所述主体的一侧中限定并与所述主要注入孔间隔开的辅助注入孔。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,多个隔板提供在所述衬底固持器中,所述多个隔板分割在其中处理所述多个衬底中的每一个的处理空间,及
所述注入部分在所述隔板之间注入所述处理气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680061569.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:四极杆滤质器以及四极杆质谱分析装置
- 下一篇:基板处理装置和基板处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造