[发明专利]晶圆抛光装置及用于该装置的抛光头有效
申请号: | 201680061781.2 | 申请日: | 2016-10-12 |
公开(公告)号: | CN108369903B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 寺川良也;谷本龙一;金子裕纪 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李婷;刘林华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 装置 用于 | ||
1.一种晶圆抛光装置,其特征在于,具备:
贴附有抛光垫的旋转平台;及
按压并保持载置于所述抛光垫上的晶圆的抛光头;
所述抛光头具备:
抵接于所述晶圆的上表面并赋予按压力的膜;及
支撑所述膜的支撑板,
所述膜具有与所述支撑板的底面对置的主面部及与所述支撑板的外周端面对置的侧面部,
基于所述膜的所述侧面部的纵向的张力,大于基于所述膜的所述主面部的横向的张力。
2.如权利要求1所述的晶圆抛光装置,其中,
所述膜的所述侧面部的内侧的高度(Mh)相对于所述支撑板的厚度(Ph)的尺寸比(Mh/Ph)为0.75以上且小于1。
3.如权利要求1或2所述的晶圆抛光装置,其中,
所述膜的所述主面部的内侧的直径(Md)相对于所述支撑板的直径(Pd)的尺寸比(Md/Pd)为0.95以上且在1以下。
4.如权利要求1或2所述的晶圆抛光装置,其中,
所述膜构成单个的加压区,而不分割为能够独立进行加压控制的多个加压区。
5.如权利要求3所述的晶圆抛光装置,其中,
所述膜构成单个的加压区,而不分割为能够独立进行加压控制的多个加压区。
6.如权利要求1或2所述的晶圆抛光装置,其中,
所述抛光头还具备加固套,该加固套与所述晶圆的外周端面抵接并限制所述晶圆的水平方向的移动,
所述加固套的底面不与所述抛光垫的表面接触。
7.如权利要求3所述的晶圆抛光装置,其中,
所述抛光头还具备加固套,该加固套与所述晶圆的外周端面抵接并限制所述晶圆的水平方向的移动,
所述加固套的底面不与所述抛光垫的表面接触。
8.一种抛光头,其为按压并保持晶圆的晶圆抛光装置的抛光头,所述晶圆载置于贴附有抛光垫的旋转平台上,其特征在于,
所述抛光头具备:
抵接于所述晶圆的上表面并赋予按压力的膜;及
支撑所述膜的支撑板;
所述膜具有与所述支撑板的底面对置的主面部及与所述支撑板的外周端面对置的侧面部,
基于所述膜的所述侧面部的纵向的张力,大于基于所述膜的所述主面部的横向的张力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司,未经胜高股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680061781.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造