[发明专利]确定样品上所关注图案的一或多个特性有效
申请号: | 201680061870.7 | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN108352336B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | M·莱内克;A·帕克;B·达菲;A·库尔卡尼 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 样品 关注 图案 特性 | ||
1.一种经配置以确定样品上所关注图案的一或多个特性的系统,其包括:
输出获取子系统,其包括至少一能源及一检测器,其中所述输出获取子系统经配置以将由所述能源产生的能量引导到样品而所述检测器检测来自所述样品的能量且响应于所述检测到的能量产生第二输出;及
计算机子系统,其包括经配置以执行来自存储器媒体的指令的一或多个处理器,其中所述计算机子系统经配置用于:
获取由检验系统针对所述样品上的所关注图案的全部或少于全部实例产生且存储于耦合到所述检验系统的计算机可读存储媒体中的所述检验系统的第一输出,其中所述所关注图案的实例标记为具有对芯片设计的已知部分的可追溯性的关照区域,且所述检验系统以低于所述输出获取子系统的分辨率的分辨率获取所述第一输出,且其中所述检验系统存储在所述全部或少于全部实例处获取的所述第一输出,而不考虑所述第一输出的特性;
选择由所述输出获取子系统产生所述第二输出的所述全部或少于全部实例中的一或多者,其中所述选择是基于所述检验系统的所述第一输出的所述特性而执行;
获取由所述输出获取子系统针对所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者产生的所述第二输出,其中在所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者处获取所述第二输出的所述输出获取子系统的所述分辨率高于所述检验系统的所述分辨率;及
基于所述输出获取子系统在所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者处的所述第二输出确定所述所关注图案的一或多个特性。
2.根据权利要求1所述的系统,其中在由所述检验系统产生的任何第一输出中不可检测基于所述输出获取子系统的所述第二输出确定的所述所关注图案的所述一或多个特性。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述检验系统识别所述样品上的所述所关注图案的所述全部或少于全部所述实例的位置而不检测所述样品上的缺陷,且其中未基于在所述所关注图案的所述实例处检测的缺陷执行选择所述全部或少于全部实例中的所述一或多者。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述样品上的所述所关注图案的所述实例由所述检验系统以子像素准确度定位。
5.根据权利要求1所述的系统,其中针对所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者的所述第二输出由所述输出获取子系统通过以子像素准确度定位所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者而产生。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述确定所述一或多个特性基于所述输出获取子系统在所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者处的所述第二输出结合针对所述所关注图案的所述实例中的至少一者产生的所述检验系统的所述第一输出而执行。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述确定所述一或多个特性包括基于所述输出获取子系统在所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者处的所述第二输出结合针对所述所关注图案的所述实例中的至少一者产生的所述检验系统的所述第一输出的第一部分而确定所述所关注图案的所述一或多个特性的一或多个初始值;及基于所述一或多个初始值,选择存储于所述计算机可读存储媒体中针对所述所关注图案的所述实例中的至少一者产生的所述检验系统的所述第一输出的第二部分;及基于所述输出获取子系统在所述全部或少于全部实例中的所述所选择的一或多者处的所述第二输出结合针对所述所关注图案的所述实例的所述至少一者产生的所述检验系统的所述第一输出的所述第二部分而确定所述所关注图案的所述一或多个特性。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述计算机子系统进一步经配置用于确定所述所关注图案的所述一或多个特性的变化且基于所述变化确定所述变化的来源。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述所关注图案的经确定的一或多个特性仅对应于所述所关注图案中的图案化偏差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造