[发明专利]被处理体搬送装置、半导体制造装置及被处理体搬送方法

说明书

一种搬送被处理体的被处理体搬送装置，具有：搬送路径，被处理体在搬送路径中移动；在搬送路径上利用气体使被处理体浮起的气体浮起部；保持通过气体浮起部浮起的被处理体并与被处理体一起在搬送路径上移动的移动保持部；以及位于搬送路径上并具有对被处理体进行规定处理的处理区域的处理区域搬送路径，移动保持部沿着搬送路径的移动方向具有至少两个以上的保持部，各保持部能够在被处理体的移动过程中进行被处理体的保持解除和保持的切换，并进行在处理区域搬送路径中解除保持部对被处理体的保持，在处理区域搬送路径外的搬送路径中进行保持的动作。

技术领域

本发明涉及利用气体使被处理体浮起并使其在搬送路径上移动的被处理体搬送装置、半导体制造装置及被处理体搬送方法。

背景技术

在被处理体的退火处理中，例如，出于向设置于硅基板或玻璃基板等上的非晶半导体照射激光从而结晶化、向非单晶半导体照射激光从而单晶化、向半导体照射激光从而改质、进行杂质的活性化和稳定化等的目的，进行退火处理。

另外，退火处理的目的不限于上述内容，而包含向被处理体照射激光从而进行热处理的所有的处理。

在退火处理中，通过使半导体移动的同时向半导体照射激光来进行基于激光扫描的处理。此时，通过针对半导体适当地确定激光的焦点来进行适合的退火处理，当针对半导体的焦点位置偏移时，退火处理未被适当地执行，处理容易变得不均匀。因此，需要在使半导体移动时也保持被处理体的姿势以维持平坦度。

以往，半导体载置在工作台，通过移动该工作台进行半导体的移动。但是，难以使工作台在稳定的姿势下移动，并且，半导体被载置在工作台，因此受到由基板下侧的结构和/或形状产生的影响。例如，工作台上表面并不是完全地平坦，而具有进行基板的收取和交付的针脚、槽形状等，产生由激光照射引起的处理不均。

因此，提出了通过利用气体使基板浮起并对基板在部分把持等的状态下使其移动来提高生产效率的装置(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002－280321号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

但是，在利用气体浮起的装置中，也有可能在照射区域附近对基板的背面用把持部把持的状态下照射激光时，由于由把持部的表面形状引起的激光的不均匀的反射、或者由基板和把持部的表面形状引起的不均匀的热传导，导致发生照射不均。尤其是最近大型基板处理的需要性也增加，把持部的数量也需要增加，所以容易发生照射不均。

本发明是以上述情况为背景而做出的，其目的之一是提供能够改善由被处理体下侧的结构和/或形状以及被处理体保持引起的处理不均等的被处理体搬送装置、半导体制造装置及被处理体搬送方法。

用于解决技术问题的技术手段

另外，在上述内容中，将激光退火装置列举作为技术问题的例子，并且将本发明作为解决该技术问题的发明进行了说明，但是本发明不限于应用于激光退火装置，在搬送被处理体并在搬送过程中进行处理的装置之中要求均匀性而没有处理不均等的装置中也能够广泛地应用。

即，本发明的被处理体搬送装置中，第一方式是搬送被处理体的被处理体搬送装置，其特征在于，具有：

搬送路径，所述被处理体在所述搬送路径中移动；气体浮起部，在所述搬送路径上利用气体使所述被处理体浮起；移动保持部，保持通过所述气体浮起部浮起的所述被处理体，并与所述被处理体一起在所述搬送路径上移动；以及处理区域搬送路径，位于所述搬送路径上，并具有对所述被处理体进行规定处理的处理区域，

所述移动保持部沿着所述搬送路径的移动方向具有至少两个以上的保持部，各保持部能够在所述被处理体的移动过程中进行所述被处理体的保持解除和保持的切换。