[发明专利]抗蚀剂组合物

权利要求书

1.一种用于光刻中的光致抗蚀剂组合物，所述光刻使用具有在10nm和1000nm之间的波长的电磁辐射，所述光致抗蚀剂组合物包括抗散射组分和光致抗蚀剂组分，其中所述抗散射组分包括主金属络合物，所述主金属络合物为通过多金属笼和/或多金属环体系表征的多金属的金属-有机络合物，所述多金属的金属-有机络合物包含与一种或更多种配体配位的多个一种或更多种类型的金属离子，其中所述多个一种或更多种类型的金属离子不包括任何的硼物质和硅物质；其中：

a)所述抗散射组分为所述光致抗蚀剂组分；

b)所述抗散射组分包括所述光致抗蚀剂组分，使得所述光致抗蚀剂组分是所述抗散射组分的一部分或与所述抗散射组分相互结合或连接，无论是化学方式和/或物理方式；或

c)所述光致抗蚀剂组分是来自所述抗散射组分的单独的化合物。

2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中：

所述一种或更多种配体包括使所述主金属络合物内的金属离子键合在一起的桥接配体；和

所述主金属络合物包含两种或更多种不同类型的金属离子，M¹和M²，其中M¹和M²衍生自同一金属元素但具有不同的化合价，或者衍生自不同的金属元素并且具有相同或不同的化合价；

可选地，其中：

所述主金属络合物包含每摩尔主金属络合物中三摩尔或更多摩尔的金属离子，且不含直接金属-金属键；

M¹和M²中的至少一个是过渡金属d-区离子；

M¹与M²的摩尔比在10:1和2:1之间；

M¹选自由Cr^III、Fe^III、V^III、Ga^III、Al^III和In^III组成的组；

M²选自由Ni^II、Co^II、Zn^II、Cd^II、Mn^II、Mg^II、Ca^II、Sr^II、Ba^II、Cu^II和Fe^II组成的组；和/或

M¹为Cr^III且M²为Ni^II。

3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述主金属络合物内的所有配体都经由包含带有一个或更多个孤对电子的杂原子的给体原子或基团被配位至金属离子；

可选地，其中：

所述主金属络合物的所述一种或更多种配体被配位至所有的金属离子，以将所述主金属络合物的所有金属离子键合在一起；

所述主金属络合物包含足够类型和足够数量的配体，以在络合物内提供每个单独金属离子平均至少4个配价键；

所述主金属络合物内的所有金属离子的配位点通过所述配体被完全饱和；

所述主金属络合物内的所有配体都具有能够提供多于一对孤电子的配位原子；和/或

所有配体都带负电荷。

4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述主金属络合物包括两种或更多种不同类型配体的混合物；

可选地，其中：

配体类型中的一种是单齿的，且配体类型中的另一种是双齿的；

一种或更多种配体包含羧酸酯配体；

所述羧酸酯是在两种或更多种金属离子之间提供桥接的桥接配体；

所述一种或更多种配体包括氟基配体；

所述主金属络合物包括双官能配体，所述双官能配体包括能够与所述主金属络合物内的金属离子形成内部配价键的配位原子和能够形成外部配价键的一种或更多种另外的配位原子；和/或

所述双官能配体包括羧酸酯基团和另外的含氮部分。