[发明专利]喷淋板、半导体制造装置以及喷淋板的制造方法

说明书

本公开的喷淋板包含陶瓷烧结体，具备第1面、与该第1面对置的第2面、和位于所述第1面以及所述第2面之间的贯通孔。并且，在该贯通孔的内表面，具有比存在于晶粒间的晶界相的露出部更突出的突出晶粒。此外，本公开的半导体制造装置具备上述的喷淋板。

技术领域

本公开涉及喷淋板、半导体制造装置以及喷淋板的制造方法。

背景技术

以往，在半导体制造工序中，利用向晶片提供氟系或氯系的腐蚀性气体从而在晶片表面形成α-Si(非晶-硅)、SiOx(氧化硅)、SiNx(氮化硅)等薄膜的CVD装置、对晶片表面进行蚀刻的干法蚀刻装置等的半导体制造装置。这些半导体制造装置在向晶片导入腐蚀性气体的喷淋板与载置晶片的试料台之间施加高频电压从而生成等离子，在晶片的表面成膜、或者对晶片的表面所形成的薄膜进行蚀刻。

例如，图10所示的CVD装置200具有腔室200A，在腔室200A的下部侧设置有试料台205，在腔室200A的上部侧设置有连接了气体管209的喷淋板201。图11(a)是喷淋板201的俯视图，图11(b)是喷淋板201的剖视图。如图11所示，喷淋板201具备用于导入腐蚀性气体的多个贯通孔203。

作为上述构成的喷淋板，在JP特开2003-133237号公报(专利文献1)中记载了：通过基于钻头的孔加工、或者向工具提供超声波振动的同时供给游离磨粒由此开凿孔的机械加工，来形成喷淋板中的贯通孔。

图12是将通过机械加工所形成的贯通孔的内表面的剖面放大了的示意图。在通过这种的机械加工来形成了贯通孔的情况下，在贯通孔的内表面的晶粒202的表面存在大量的微裂纹202c。在这种的微裂纹202c大量存在的情况下，若微裂纹202c发展而连接至晶界相、或者微裂纹202c彼此连接，则粒状物从内表面脱落(脱粒)而成为微粒，担心会引起微粒汚染。最近，谋求来自贯通孔的内表面的微粒产生被进一步抑制的喷淋板。

发明内容

本公开的喷淋板包含陶瓷烧结体，具备第1面、与该第1面对置的第2面、和位于所述第1面以及所述第2面之间的贯通孔。并且，在该贯通孔的内表面，具有比存在于晶粒间的晶界相的露出部更突出的突出晶粒。

此外，本公开的半导体制造装置具备上述构成的喷淋板。

再有，本公开的喷淋板的制造方法中，对包含陶瓷粉末的浆料进行造粒来获得颗粒。接下来，利用该颗粒来获得第1成形体，该第1成形体具有成为所述第1面的A面、与该A面对置并成为所述第2面的B面、和形成于所述A面以及所述B面之间的贯通孔。接下来，对该第1成形体进行烧成来获得陶瓷烧结体。并且，是在所述烧成之后对所述贯通孔的内表面不实施机械性加工的制造方法。

附图说明

图1表示第1实施方式的喷淋板的一例，(a)是俯视图，(b)是(a)的A-A’线处的剖视图。

图2是表示具备图1所示的喷淋板的CVD装置的一例的示意图。

图3是将图1所示的喷淋板的贯通孔的内表面的剖面放大的示意图。

图4是利用扫描型电子显微镜拍摄图1所示的喷淋板的贯通孔的内表面而得到的照片，(a)是入口侧的开口区域，(b)是中央区域，(c)是出口侧的开口区域。

图5表示第2实施方式的喷淋板的一例，(a)是俯视图，(b)是(a)的B-B’线处的剖视图。

图6是用于说明第2实施方式的喷淋板的制造方法的图，(a)是成形后的第2成形体的俯视图，(b)是(a)的C-C’线处的剖视图。

图7是用于说明第2实施方式的喷淋板的制造方法的图，(a)是形成有沟槽的第2成形体的俯视图，(b)是(a)的D-D’线处的剖视图。

图8是用于说明第2实施方式的喷淋板的制造方法的图，(a)是形成有贯通孔的第2成形体的俯视图，(b)是(a)的E-E’线处的剖视图。