[发明专利]固态摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201680063100.6 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN108352395A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 畑野启介;中村良助;上杉雄二;古闲史彦;山口哲司 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 第一电极 摄像装置 光电转换膜 第二电极 电子设备 固态摄像装置 遮光膜 替代 | ||
本发明提供了摄像装置和包含摄像装置的电子设备。所公开的摄像装置能够包括第一像素(2PA,2PB)和第二像素(2X)。所述第一像素和所述第二像素分别具有第一电极(51A,51B,51C)、光电转换膜(81)的一部分和第二电极(82)的一部分,其中,所述光电转换膜位于所述第一电极和所述第二电极之间。所述第一像素的所述第一电极(51A,51B)具有第一面积,而所述第二像素的所述第一电极(51C)具有小于所述第一面积的第二面积。所述第一像素能够包括遮光膜(52A,52B)。替代地或者附加地,所述第一像素能够被分为第一部分和第二部分。
技术领域
本发明涉及固态摄像装置和电子设备,并且尤其涉及能够实现摄像特性中更高的灵敏度以及提高的自动对焦精确度的固态摄像装置和电子设备,在固态摄像装置中包括光电转换膜。
<相关申请的交叉引用>
本发明要求于2015年11月5日提交的日本在先专利申请JP2015-217860的权利,其全部内容通过引用并入本文。
背景技术
作为用于实施诸如数字摄像机等摄像装置的自动对焦的系统,瞳孔分离相位差检测系统是已知的,该检测系统使用来自相对于光的入射角具有非对称灵敏度的相位差检测像素的输出。
作为在包括光电转换膜的固态摄像装置上实施瞳孔分离相位差检测系统的技术,在现有技术中存在如下技术:其中,固态摄像装置获得在硅基板的上侧设置的光电转换膜上的图像生成信号,并且获得在硅基板内部设置的光电二极管上的相位差检测信号。
同时,根据现有技术中公开的技术,设置有上电极和下电极以将光电转换膜夹在中间,并且在上电极和下电极之中,下电极被布置为形成在一对像素的不同区域中,由此形成相位差检测像素。
引用列表
专利文献
PTL 1:JP 2011-103335 A
PTL 2:JP 2015-050331 A
发明内容
技术问题
根据现有技术中所述的固态摄像装置,入射在光电二极管上的光是在没有被光电转换膜吸收的情况下透射穿过光电转换膜的光。相应地,入射到光电二极管上的光的强度是弱的,这使得难以获得高的自动对焦精确度。
同时,在设置为用于获得常规的摄像信号的像素上,优选的是在能够获得必须的灵敏度输出的范围内最小化下电极的面积。当下电极具有大的面积时,下电极电容增大,这导致了电荷转换为电压时的效率降低。
鉴于上述情况而进行了本发明,从而期望在包括光电转换膜的固态摄像装置上实现摄像特性中更高的灵敏度以及提高的自动对焦精确度。
解决问题的技术方案
根据本发明的一个方面的固态摄像装置包括摄像像素和相位差像素,摄像像素包括将光电转换膜夹在中间的上电极和下电极,并且用于获得摄像信号,相位差像素包括上电极和下电极,并且用于获得相位差检测信号,其中,设置于相位差像素上的上电极和下电极之中的位于信号电荷输出侧并且针对每个像素设置并分离的一个电极的面积大于设置于摄像像素上的上电极和下电极之中的相应的一个电极的面积。
相应于本发明的另一个实施例,遮光膜设置成用于限制所述相位差像素的所述光电转换膜上方的入射光。
相位差像素的所述一个电极可以配置成包括第一电极、第二电极和用于使第一电极和第二电极分隔开的分隔部。
所述分隔部可以配置成穿过所述相位差像素的中心。
在所述相位差像素上,所述第一电极的面积和所述第二电极的面积可以被构造成是相等的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的