[发明专利]透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法

说明书

透光性导电薄膜依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层。前述无机层的厚度为20nm以下。前述无机层的水接触角为50度以下。

技术领域

本发明涉及透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法。

背景技术

目前，已知具备在树脂基体中分散保持有液晶的液晶树脂复合体和挟持它们的2片基板的液晶光学元件。

例如提出了如下的液晶光学元件：液晶树脂复合体接触的基板的至少一个基板表面被对用于形成液晶树脂复合体的未固化混合液具有几乎均匀的润湿性的薄膜覆盖(例如参照专利文献1。)。

专利文献1的基板在玻璃板上形成ITO后，在ITO上以厚度60nm蒸镀SiO₂，从而形成薄膜。

并且，在专利文献1中，未固化混合液在基板表面整体显示出几乎均匀的润湿性，因此变得难以在基板表面残留气泡。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-34667号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在形成SiO₂的薄膜之后，有时通过蚀刻将ITO图案化。在专利文献1中公开了在将ITO图案化后，形成SiO₂薄膜的工序，前述工序从产品品质和制造成本的观点考虑实质上不能采用。另一方面，在形成ITO后，形成具有均匀的润湿性的薄膜(例如：厚度60nm的SiO₂膜)，其后进行ITO图案化时，存在ITO的图案化需要长时间、或者实质上不能图案化这样的不良情况。

本发明的目的在于，提供可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层的透光性导电薄膜及其制造方法、和可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层的调光薄膜的制造方法和利用该制造方法得到的调光薄膜。

用于解决问题的方案

[1]本发明为一种透光性导电薄膜，其特征在于，其依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层，前述无机层的厚度为20nm以下，前述无机层的水接触角为50度以下。

该透光性导电薄膜的无机层的厚度为特定的上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。

另外，无机层的、在形成无机层后经过80小时以上后的水接触角为特定值以下，因此可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。因此，可以得到可靠性优异的调光薄膜。

[2]本发明包括上述[1]所述的透光性导电薄膜，其中，前述在形成无机层后经过80小时以上后的、前述无机层的水接触角为50度以下。

[3]本发明包括上述[1]或[2]所述的透光性导电薄膜，其中，前述无机层由无机氧化物形成。

该透光性导电薄膜的无机层由无机氧化物形成，因此亲水性优异。

[4]本发明包括上述[1]～[3]中任一项所述的透光性导电薄膜，其中，前述透光性导电层具有铟系导电性氧化物层，前述铟系导电性氧化物层的厚度为50nm以下。

该透光性导电薄膜的铟系导电性氧化物层的厚度为特定的上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。