[发明专利]介质谐振器天线有效
申请号: | 201680063450.2 | 申请日: | 2016-10-27 |
公开(公告)号: | CN108352611B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 克里斯季·潘采;卡尔·施普伦托尔;肖恩·P·威廉斯 | 申请(专利权)人: | 罗杰斯公司 |
主分类号: | H01Q9/04 | 分类号: | H01Q9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高岩;杨林森 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 谐振器 天线 | ||
1.一种介质谐振器天线,DRA,包括:
导电接地结构;
多个介电材料体,所述多个介电材料体被布置在所述接地结构上并且包括N个体,所述N个体被布置成形成连续且顺序的分层体Vi,N是等于或大于3的整数,i是从1到N的整数,其中,体V1形成最内第一体,其中,连续的体Vi+1形成布置在体Vi上并且至少部分地内嵌体Vi的分层壳体,其中,体VN至少部分地内嵌所有的体V1至体VN-1;
其中,所述多个介电材料体中的相邻介电材料体具有相对于彼此不同的介电常数;
信号馈源,所述信号馈源电磁耦合至所述多个介电材料体中的一个或更多个;
其中,布置有信号馈源或布置成与所述信号馈源通信的体V1iN提供从所述信号馈源侧通过体V1的顶部到所述信号馈源相对侧的连续不间断内部几何路径,所述连续不间断内部几何路径支持TE辐射模式,其中所述体V1iN不是体V1且不是体VN;
其中,当从下到上观察所述DRA时,至少一个体V1iN的整体宽度小于其整体长度;以及
所述多个介电材料体限定有第一几何路径和第二几何路径,当从下到上观察所述DRA时,所述第一几何路径具有从所述信号馈源向所述多个介电材料体的相对侧延伸的第一方向,并且当从下到上观察所述DRA时,所述第二几何路径具有与所述第一几何路径的第一方向正交的第二方向,所述第二几何路径的有效介电常数小于所述第一几何路径的有效介电常数,所述第一几何路径相对于所述第二几何路径是与所述DRA相关联的E场线的偏好路径。
2.根据权利要求1所述的DRA,其中,体VN完全100%一同内嵌所有的体V1至体VN-1。
3.根据权利要求1所述的DRA,其中,体VN仅内嵌体V1至体VN-1的一部分,而使每个体V1至体VN-1的一部分不被体VN内嵌。
4.根据任一前述权利要求所述的DRA,其中,所述信号馈源被与所述接地结构非电接触地布置在所述接地结构的开口内,并且所述信号馈源被布置在所述多个介电材料体中所述信号馈源被电磁耦合至的一个介电材料体内。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的DRA,其中,体V1具有被布置成与体V2直接紧密接触的第一表面以及被布置成与体V3直接紧密接触的第二表面。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的DRA,其中,不是体V1且不是体VN的体V1iN具有被布置成与体Vi-1直接紧密接触的第一表面以及被布置成与体VN直接紧密接触的第二表面。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的DRA,其中,体V1是空气。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的DRA,其中,所述信号馈源被布置在体V2中或者电磁耦合至所述体V2。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的DRA,还包括导电围栏,所述导电围栏被布置成围绕所述多个介电材料体,并且与所述接地结构电接触并形成所述接地结构的一部分。
10.根据权利要求9所述的DRA,其中,所述导电围栏的高度不超过所述多个介电材料体的高度。
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