[发明专利]喷嘴和包括该喷嘴的基板处理设备以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

腔室，所述腔室配置为提供用于处理基板的空间；

支撑单元，所述支撑单元设置在所述腔室中并被配置成支撑所述基板；和

喷嘴，所述喷嘴配置为向由所述支撑单元支撑的所述基板供应清洗介质，

其中，所述喷嘴包括：

收缩部，所述收缩部具有入口，通过所述入口引入所述清洗介质，并且所述收缩部的截面面积随着远离所述入口而减小；

扩张部，所述扩张部具有喷射孔，通过所述喷射孔喷射所述清洗介质，并且所述扩张部的截面面积随着靠近所述喷射孔而增加；和

孔口，所述孔口位于所述收缩部和所述扩张部之间，以及

其中，引入到所述收缩部中的所述清洗介质是单一气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔的面积是所述孔口的通道的截面面积的4至14倍。

3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔的面积是所述孔口的通道的截面面积的6至10倍。

4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述孔口的直径是0.24mm至0.6mm，以及所述喷射孔的直径是0.9mm至3.0mm。

5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述孔口的直径是0.3mm至0.5mm，以及所述喷射孔的直径是0.9mm至1.1mm。

6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述孔口的面积是0.05mm²至0.28mm²，以及所述喷射孔的面积是0.7mm²至7mm²。

7.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述孔口的面积是0.10mm²至0.14mm²，以及所述喷射孔的面积是0.7mm²至1.4mm²。

8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔与所述基板的表面之间的垂直距离是2cm至5cm。

9.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔与所述基板的表面之间的垂直距离是2.5cm至4cm。

10.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔相对于所述基板的表面倾斜。

11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔与所述基板的表面之间的倾斜角度是25度至90度。

12.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中，所述喷射孔与所述基板的表面之间的倾斜角度是25度至35度。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板支撑设备，其中，所述清洗介质是二氧化碳。

14.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中，所述腔室的内部压力是0.01bar至1bar，以及引入到所述收缩部中的所述清洗介质的供应压力是20bar至60bar。

15.根据权利要求13所述的基板处理设备，其中，所述腔室的内部压力是0.75bar至1.25bar，以及引入到所述收缩部中的所述清洗介质的供应压力是45bar至55bar。