[发明专利]颗粒监控装置在审
申请号: | 201680063593.3 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN108352338A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | L·泰德斯奇;K·拉马斯瓦米 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微传感器 颗粒监控装置 处理工具 参数响应 检测晶片 接收晶片 晶片形状 真空条件 室内 输出 | ||
1.一种颗粒监控装置,包含:
基板,所述基板具有支撑表面;
微传感器,所述微传感器经安装在所述支撑表面上的预定位置处,其中所述传感器具有参数,且其中当所述微传感器接收在晶片处理工具的腔室内的颗粒时,所述参数改变;
时钟,所述时钟经安装在所述基板上,其中所述时钟经配置以输出时间值;以及
处理器,所述处理器经安装在所述基板上,其中所述处理器可操作地耦合至微传感器及所述时钟,且其中所述处理器经配置以当所述微传感器的所述参数改变时记录所述预定位置及所述时间值。
2.如权利要求1所述的颗粒监控装置,进一步包含存储器,所述存储器经安装在所述基板上,其中所述处理器可操作地耦合至所述存储器,以在所述存储器中记录所述预定位置及所述时间值。
3.如权利要求2所述的颗粒监控装置,进一步包含电源,所述电源经安装在所述基板上,其中所述电源经电耦合至所述微传感器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的一者或多者,以对所述微传感器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的所述一者或多者供电。
4.如权利要求1所述的颗粒监控装置,其中所述基板包含半导体材料,所述半导体材料具有晶片形状因素,且其中所述晶片形状因素包含95至455mm间的直径。
5.如权利要求1所述的颗粒监控装置,其中所述微传感器包含:
MOSFET,其中所述参数为所述MOSFET的阈值电压,及
收集器,所述收集器电耦合至所述MOSFET,其中所述阈值电压响应于所述颗粒接触到所述收集器而改变。
6.一种颗粒监控装置,包含:
基板,所述基板具有支撑表面;
微共振器,所述微共振器经安装在所述支撑表面上的预定位置处,其中所述微共振器具有特征频率,且其中当所述微共振器接收晶片处理工具的腔室内的颗粒时,所述特征频率偏移;
时钟,所述时钟经安装在所述基板上,其中所述时钟经配置以输出时间值;以及
处理器,所述处理器经安装在所述基板上,其中所述处理器可操作地耦合至所述微共振器及所述时钟,且其中所述处理器经配置以当所述微共振器的所述特征频率偏移时记录所述预定位置及所述时间值。
7.如权利要求6所述的颗粒监控装置,其中所述特征频率与所述微共振器的质量成反比,且其中当所述微共振器接收所述颗粒时,所述微共振器的所述质量改变。
8.如权利要求7所述的颗粒监控装置,进一步包含:
宽频率源,所述宽频率源经安装在所述基板上以激发所述微共振器;以及
检测器,所述检测器经安装在所述基板上以检测所述特征频率的所述偏移。
9.如权利要求8所述的颗粒监控装置,进一步包含存储器,所述存储器经安装在所述基板上,其中所述处理器可操作地耦合至所述存储器以在所述存储器中记录所述预定位置及所述时间值。
10.如权利要求9所述的颗粒监控装置,进一步包含电源,所述电源经安装在所述基板上,其中所述电源电耦合至所述微共振器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的一者或多者,以对所述微共振器、所述时钟、所述处理器或所述存储器中的所述一者或多者供电。
11.如权利要求6所述的颗粒监控装置,其中所述基板包含半导体材料,所述半导体材料具有晶片形状因素,其中所述晶片形状因素包含95至455mm间的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造