[发明专利]低功率高性能SRAM中的感测放大器

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器SRAM，其包括：

存储单元阵列中的存储单元；及

感测放大器，其包含第一晶体管及第二晶体管，所述感测放大器经配置以：

采用容限模式的更快设置执行所述存储单元的第一读取；

响应于确定所述存储单元的所述第一读取不正确地读取存储于所述存储单元中的数据：

递增所述第一晶体管的体偏置；及

执行所述存储单元的第二读取，其中

所述感测放大器进一步经配置以：

响应于确定所述存储单元的所述第二读取不正确地读取存储于所述存储单元中的所述数据，确定所述第一晶体管的所述体偏置是否处于最大电平；及

响应于所述第一晶体管的所述体偏置处于所述最大电平，递增所述第二晶体管的体偏置。

2.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述感测放大器进一步经配置以基于所述第一晶体管的所述体偏置小于所述最大电平，第二次递增所述第一晶体管的所述体偏置。

3.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述感测放大器进一步经配置以基于所述第二读取正确地读取存储于所述存储单元中的所述数据，保存在所述第二读取期间施加到所述第一晶体管的所述体偏置。

4.根据权利要求1所述的SRAM，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管经配置以在执行所述第一读取之前接收零体偏置。

5.根据权利要求1所述的SRAM，其中存储于所述存储单元中的所述数据是已知数据。

6.根据权利要求1所述的SRAM，其进一步包括第二感测放大器，所述第二感测放大器包括第三晶体管及第四晶体管，所述第二感测放大器经配置以：

响应于确定所述第二读取正确地读取存储于所述存储单元中的所述数据：执行对所述存储单元阵列的第二存储单元的第三读取，所述第二存储单元在不同于所述存储单元的所述存储单元阵列的列中；及

响应于确定所述第二存储单元的所述第三读取不正确地读取存储于所述第二存储单元中的数据，第一次递增所述第三晶体管的体偏置。

7.根据权利要求6所述的SRAM，其中所述第二感测放大器进一步经配置以：

响应于确定所述第二存储单元的所述第三读取不正确地读取存储于所述第二存储单元中的所述数据，确定所述第三晶体管的所述体偏置是否处于最大电平；及

基于所述第三晶体管的所述体偏置处于所述最大电平，递增所述第四晶体管的体偏置。

8.一种方法，其包括：

通过感测放大器执行存储单元静态随机存取存储器(SRAM)的第一读取，所述感测放大器包括第一晶体管和第二晶体管；及

响应于确定所述存储单元的所述第一读取不正确地从所述存储单元读取数据：

递增所述SRAM的第一感测放大器的所述第一晶体管的体偏置；

采用所述感测放大器执行所述存储单元的第二读取；

响应于所述存储单元的所述第二读取不正确地从所述存储单元读取所述数据，确定所述第一晶体管的所述体偏置是否处于最大电平；及

基于所述第一晶体管的所述体偏置处于所述最大电平，递增所述第一感测放大器的所述第二晶体管的体偏置。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

基于所述第二读取正确地从所述存储单元读取所述数据，保存在所述第二读取时施加到所述第一晶体管及所述第二晶体管的所述体偏置。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

在执行所述存储单元的所述第一读取之前，将所述第一晶体管及所述第二晶体管的所述体偏置初始化为零。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管是n通道金属氧化物半导体场效应NMOS晶体管。