[发明专利]承载超薄衬底有效

专利信息
申请号: 201680064430.7 申请日: 2016-09-13
公开(公告)号: CN108604582B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 徐润忠;F·P·卡尔森;赖冠宇 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48;H05K3/46
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 边海梅
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 承载 超薄 衬底
【说明书】:

发明描述了形成超薄无芯衬底的方法。在实施方案中,该方法利用包括承载衬底的高粘附力表面区域和低粘附力表面区域的脱粘层,并且切割通过低粘附力表面区域以从承载衬底去除堆积结构。可在脱粘层上形成电短层作为脱粘层的一部分,以促进在脱粘之前执行堆积结构的电气测试,并且帮助在支撑衬底上形成“已知良好”衬底。

背景技术

技术领域

本文所述的实施方案涉及电子封装。更具体地,所述实施方案涉及电 子封装衬底。

背景技术

塑料球栅阵列(BGA)衬底通常用于存储器、控制器和芯片组应用程序 等。BGA衬底通常以条状出售,并且其特征为包括芯的刚性衬底,诸如使 用玻璃布加固的树脂层,以及在芯的相对侧的堆积层。堆积层可通过延伸 穿过芯层的通孔互连。针对较高密度和较低轮廓(z高度)封装的持续趋 势,例如在移动设备中,最近的封装开发已经研究了芯层厚度的减小以及 无芯衬底的构造。

发明内容

本发明描述了形成无芯衬底的方法。在实施方案中,形成无芯衬底的 方法包括在承载衬底上形成脱粘层。脱粘层包括所述承载衬底上的第一表 面区域和第二表面区域,该第一表面区域围绕所述第二表面区域,并且该 第一表面区域具有比所述第二表面区域对所述承载衬底大的粘附力。接 着,在脱粘层上形成堆积结构,该堆积结构横跨脱粘层的第一表面区域和 第二表面区域,并且与承载衬底相对地将支撑衬底附接到堆积结构。然 后,衬底叠层切割穿过堆积结构、脱粘层的第二表面区域和承载衬底,这 允许承载衬底随后从堆积结构脱离。在实施方案中,在至少部分地去除脱 粘层之后也将支撑衬底和堆积结构切割成多个面板。

脱粘层可使用多种构型形成。在一个实施方案中,形成脱粘层包括将 金属箔放置到承载衬底上,并且在承载衬底上的金属箔上方以及侧向围绕 金属箔层压覆盖层。在一个实施方案中,形成脱粘层包括去除围绕承载芯 的侧向边缘的金属层的一部分,并且在承载芯上的金属层上方以及侧向围 绕金属层形成覆盖层。在一个实施方案中,形成脱粘层包括使承载衬底的 区域变粗糙,并且在承载衬底的粗糙区域和承载衬底的非粗糙区域上方形成覆盖层。也可在脱粘层上形成电短层作为脱粘层的一部分。

根据脱粘层,切割穿过脱粘层的第二表面区域包括切割穿过多个结 构。在实施方案中,切割穿过脱粘层的第二表面区域包括切割穿过金属 箔。在实施方案中,切割穿过脱粘层的第二表面区域包括切割穿过金属 层。在实施方案中,切割穿过脱粘层的第二表面区域包括切割穿过承载衬 底的非粗糙区域上方的覆盖层。

在一个实施方案中,形成脱粘层包括形成电短层。在此类实施方案 中,将支撑衬底附接到堆积结构可包括将支撑衬底附接到堆积结构的包括 多个BGA接合焊盘的BGA侧,该多个BGA接合焊盘与电短层电短接在一 起。在脱离承载衬底之后可至少部分地去除脱粘层。在实施方案中,这包 括去除电短层以暴露多个表面安装技术(SMT)接合焊盘。

在一个实施方案中,在脱粘层上形成电短层。在此类实施方案中,在 电短层上形成堆积结构,并且将支撑衬底附接到堆积结构可包括将支撑衬 底附接到堆积结构的包括多个接合焊盘的BGA侧,该多个接合焊盘与所述 电短层电短接在一起。在实施方案中,在至少部分地去除脱粘层之后去除 电短层以暴露多个SMT接合焊盘。

在实施方案中,形成无芯衬底的方法包括在承载衬底上形成电短层并 且在电短层上形成堆积结构。堆积结构包括位于堆积结构的前侧上的多个 接触垫(例如BGA接触垫),该多个接触垫通过堆积结构的后侧上的电短 层互相短接。支撑衬底附接到堆积结构的前侧。脱离承载衬底,去除电短 层并且暴露堆积结构的后侧上的第二多个接触垫(例如SMT接触垫)。在 实施方案中,在暴露第二多个接触垫之后将面板尺寸的衬底叠层切割穿过支撑衬底和堆积结构以形成多个衬底条。

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