[发明专利]点火器

权利要求书

1.一种点火器，具备：

开关元件(20)，被连接在点火线圈(10)的一次绕线(11)上；

控制电路部(3)，进行上述开关元件的动作控制；以及

保护元件(4)，与上述控制电路部电连接，对上述控制电路部进行电保护，

上述开关元件和上述保护元件形成在同一个半导体芯片(2)上；

作为上述保护元件，具备由电阻构成、配设在从直流电源(13)通往上述控制电路部的电流路径(8)上的保护电阻(4_R)；

上述点火器还具备搭载有上述半导体芯片的半导体芯片用引线框(7s)和搭载有上述控制电路部的控制电路用引线框(7c)，上述半导体芯片用引线框形成为比上述控制电路用引线框厚。

2.如权利要求1所述的点火器，具备：

作为上述保护元件，具备将施加到上述控制电路部上的电压保持为一定的保护齐纳二极管(4_Z)；

上述点火器具备用来检测从直流电源施加到上述半导体芯片上的施加电压(V_S)的电压检测用电阻(6)、以及在上述施加电压变得比预先设定的值高的情况下将上述开关元件强制地断开的过电压保护电路(31)。

3.如权利要求1所述的点火器，

具备并联连接在上述直流电源上的电容器(16)。

4.如权利要求1所述的点火器，

上述开关元件是IGBT，上述半导体芯片具备元件分离用的场氧化膜，上述IGBT的栅极电极及上述保护电阻由多晶硅构成，上述保护电阻被形成在上述场氧化膜上。

5.如权利要求2所述的点火器，

上述开关元件是IGBT，上述半导体芯片具备元件分离用的场氧化膜，上述IGBT的栅极电极及上述保护齐纳二极管由多晶硅构成，上述保护齐纳二极管被形成在上述场氧化膜上。

6.如权利要求2所述的点火器，

上述半导体芯片具备连接在地电位上的芯片内接地部(28)，上述保护齐纳二极管的低电位侧端子(48)电连接在上述芯片内接地部上。

7.如权利要求2所述的点火器，

上述控制电路部具备连接在地电位上的控制电路内接地部(36)，上述保护齐纳二极管的低电位侧端子电连接在上述控制电路内接地部上。

8.如权利要求2所述的点火器，

上述电压检测用电阻形成在上述半导体芯片上。

9.如权利要求2所述的点火器，

上述电压检测用电阻与上述半导体芯片分体地设置。

10.如权利要求5所述的点火器，

上述半导体芯片具备连接在地电位上的芯片内接地部(28)，上述保护齐纳二极管的低电位侧端子(48)电连接在上述芯片内接地部上。

11.如权利要求5所述的点火器，

上述控制电路部具备连接在地电位上的控制电路内接地部(36)，上述保护齐纳二极管的低电位侧端子电连接在上述控制电路内接地部上。

12.如权利要求5所述的点火器，

上述电压检测用电阻形成在上述半导体芯片上。

13.如权利要求5所述的点火器，

上述电压检测用电阻与上述半导体芯片分体地设置。