[发明专利]热光转换部件在审
| 申请号： | 201680064666.0 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108292904A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 宇野智裕;德丸慎司;铃木基史;西浦健介 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | H02S10/30 | 分类号： | H02S10/30;H02N11/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅化物层 电介体层 转换部件 热光 层叠结构 金属区域 短波长 放射 吸收 | ||
1.一种热光转换部件，其特征在于，所述热光转换部件具有下述的层叠结构：硅化物层和电介体层交替地形成于金属区域的上面，所述硅化物层和所述电介体层的层数合计为3层～12层，
其中，所述层叠结构在所述金属区域的上面依次具有：所述硅化物层中所包含的最靠所述金属区域侧的硅化物层B；所述电介体层中所包含的电介体层M；和所述硅化物层中所包含的除了所述硅化物层B以外的硅化物层M，
所述硅化物层B的厚度为5nm～25nm，所述电介体层M的厚度为10nm～45nm，所述硅化物层M的厚度为2nm～15nm。
2.根据权利要求1所述的热光转换部件，其特征在于，在最表面侧进一步形成有所述电介体层中所包含的电介体层T，所述硅化物层和所述电介体层的层数合计为4层～12层，所述电介体层T的厚度为80nm～200nm。
3.根据权利要求1或2所述的热光转换部件，其特征在于，在所述金属区域和所述硅化物层B之间进一步形成有所述电介体层中所包含的电介体层B，所述电介体层B的厚度为5nm～25nm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，所述硅化物层B的厚度为与该硅化物层B的上面接触的所述电介体层M的厚度的60％以下。
5.根据权利要求2所述的热光转换部件，其特征在于，所述电介体层T的厚度为与该电介体层T的下面接触的所述硅化物层M的厚度的8倍以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，所述层叠结构的表面是所述电介体层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，所述硅化物层的主成分是β-FeSi2或CrSi2。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，所述电介体层的主成分是SiO2或Al2O3。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，所述金属区域的主成分是选自W、Mo、Fe、Ni、Cr、Au、Ag、Fe合金之中的1种。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，所述金属区域的厚度为20nm以上。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，在所述金属区域的下面形成有基板，所述基板由硅或金属构成，在所述基板的表面侧形成有SiC层。
12.根据权利要求1～10中任一项所述的热光转换部件，其特征在于，在所述金属区域的下面形成有基板，所述基板由Fe、Fe合金、Ni合金之中的至少1种构成，在所述基板的表面侧形成有氧化物层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日铁住金株式会社，未经新日铁住金株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680064666.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
