[发明专利]液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法在审
申请号: | 201680064694.2 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN108351558A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 山田悟;金子若彦;田锅秀人 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1333;G09F9/00;G09F9/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹阳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护层 取向 液晶显示装置 液晶层 基材 交联结构 第1基板 取向性 飞行时间二次离子质谱 薄膜晶体管 高温高湿 显示电极 显示性能 第2基板 共价键 滤色器 平坦性 取向膜 观察 基板 制造 暴露 检测 | ||
1.一种液晶显示装置,自观察侧起依次具有第1基板、液晶层及第2基板,其中,
所述第1基板具备基材及取向保护层,
所述第2基板具备基材、薄膜晶体管、显示电极及取向膜,
所述取向保护层具有与所述液晶层接触的面,
所述取向保护层具有经由共价键而相互连接的取向性基团及交联结构,
关于通过飞行时间二次离子质谱法所检测出的源自所述取向性基团的片段,所述取向保护层的与所述液晶层接触的面中源自所述取向性基团的片段的质谱的强度ELq、与所述取向保护层的所述基材侧的面中源自所述取向性基团的片段的质谱的强度ESub满足下述条件1或条件2,
所述交联结构包含由下述式(A-1)~式(A-3)所表示的任意结构,
条件1:强度ELq为强度ESub的2倍~20倍;
条件2:强度ELq被有效地测定,强度ESub为测定界限以下;
[化学式1]
其中,所述式(A-1)~式(A-3)中,*表示键合位置,所述式(A-3)中,R1表示氢原子或碳原子数1~6的烷基。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其中,
所述强度ELq为所述强度ESub的5倍~20倍。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置,其中,
所述取向性基团是使光取向性基团进行光反应而成的基团。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶显示装置,其中,
所述取向保护层的膜厚为1μm~4μm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置,其中,
构成所述液晶层的液晶为水平取向液晶。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶显示装置,其中,
源自所述取向性基团的片段为源自选自肉桂酸酯基及查耳酮基中的至少一种光取向性基团的片段。
7.一种液晶显示装置的制造方法,其具有:
第1工序,使用含有聚合物P及聚合物A的取向保护层形成用组合物在基材上形成保护层后,对所述保护层实施取向处理而形成取向保护层,以制作第1基板,该聚合物P包含具有取向性基团的构成单元,该聚合物A不含具有取向性基团的构成单元;以及
第2工序,将具备基材、薄膜晶体管、显示电极及取向膜的第2基板与所述第1基板粘合并封入液晶,在所述第1基板与所述第2基板之间形成液晶层,以制作液晶显示装置。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置的制造方法,其中,
所述聚合物P包含下述s1所示的构成单元作为所述具有取向性基团的构成单元,
所述聚合物P及所述聚合物A满足下述条件3或条件4,
s1:具有选自氟取代烃基、硅氧烷骨架及碳原子数10~30的烷基中的至少一种部分结构的构成单元,以及具有光取向性基团的构成单元
条件3:所述聚合物P包含具有交联性基团的构成单元a2,且所述聚合物A包含具有酸基的构成单元a3;
条件4:所述聚合物P包含具有酸基的构成单元a3,且所述聚合物A包含具有交联性基团的构成单元a2。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置的制造方法,其中,
所述交联性基团是选自环氧乙烷基、3,4-环氧环己基及氧杂环丁基中的至少一种。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其中,
所述聚合物P相对于所述聚合物P及所述聚合物A的合计质量的质量比例小于10质量%。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其中,
所述取向保护层形成用组合物进一步含有分子量5000以下的交联剂B。
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