[发明专利]电力轨入界线中部(MOL)布线

说明书

在某些方面，一种半导体管芯包括电力轨、第一栅极和第二栅极。该半导体管芯还包括：电耦合到第一栅极的第一栅极接触部，其中第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；以及电耦合到第二栅极的第二栅极接触部，其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯进一步包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部，并且互连部的至少一部分在电力轨下方。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年11月9日在美国专利和商标局提交的非临时申请No.14/936,459的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各方面一般地涉及在管芯上布线，并且更特别地涉及在管芯上的线中部(MOL)布线。

背景技术

半导体管芯可以包括许多半导体器件(例如，晶体管)。半导体器件可以通过一个或多个金属层被互连以形成集成电路。随着器件尺寸缩小，管芯上的布线拥塞增加，而使得互连管芯上的器件更加困难。

发明内容

以下提出一个或多个实施例的简化概述以便提供对这样的实施例的基本理解。本概述不是所有被设想到的实施例的广泛概览，并且既不意图标识所有实施例的关键或重要元素，也不意图界定任何或全部实施例的范围。其唯一目的是以简化形式提出一个或多个实施例的一些概念，作为稍后提出的更详细描述的序言。

根据一方面，提供了一种半导体管芯。该半导体管芯包括电力轨、第一栅极和第二栅极。该半导体管芯还包括：电耦合到第一栅极的第一栅极接触部，其中第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；以及电耦合到第二栅极的第二栅极接触部，其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯进一步包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部，并且互连部的至少一部分在电力轨下方。

第二方面涉及一种半导体管芯。该半导体管芯包括电力轨、栅极和源极。该半导体管芯还包括电耦合到栅极的栅极接触部，其中栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成。该半导体管芯还包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到栅极接触部和源极，并且互连部的至少一部分在电力轨下方。

第三方面涉及一种半导体管芯。该半导体管芯包括电力轨、第一单元和第二单元，第一单元包括第一多个栅极和第一多个源极/漏极，第二单元包括第二多个栅极和第二多个源极/漏极。该半导体单元还包括：电耦合到第一多个栅极中的一个栅极的第一栅极接触部，其中第一栅极接触部由第一线中部(MOL)金属层形成；以及电耦合到第二多个栅极中的一个栅极的第二栅极接触部，其中第二栅极接触部由第一MOL金属层形成。该半导体管芯还包括由第二MOL金属层形成的互连部，其中互连部电耦合到第一和第二栅极接触部，并且在电力轨下方被布线。

附图说明

图1示出了根据本公开的某些方面的示例性半导体管芯的侧视图。

图2示出了根据本公开的某些方面的用于将栅极耦合到金属层的示例性结构的侧视图。

图3示出了根据本公开的某些方面的用于将源极/漏极耦合到金属层的示例性结构的侧视图。

图4示出了根据本公开的某些方面的示例性半导体管芯的顶视图。

图5示出了根据本公开的某些方面的由金属层M1形成的示例性局部互连部。

图6A和图6B示出了根据本公开的某些方面的图5中的示例性局部互连部的侧视图。

图7示出了根据本公开的某些方面的由金属层M1形成并且用于在单元之间布线的示例性互连部的顶视图。

图8A和图8B示出了根据本公开的某些方面的在金属M1电力轨之下提供布线的示例性互连部的顶视图。