[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种压力传感器，包括：

-平台(1)，

-导电测量膜(5)，所述导电测量膜(5)与所述平台(1)连接以封闭压力腔室(3)并且能够与待测量的压力(Δp)接触，以及

-电极(13)，所述电极(13)与所述测量膜(5)间隔开并且与所述测量膜(5)电绝缘以连同所述测量膜(5)一起形成电容器，所述电容器具有根据所述测量膜(5)的偏转的电容变量，所述偏转取决于作用于所述测量膜(5)上的所述压力(Δp)，

其特征在于

-所述平台(1)具有限定所述压力腔室(3)并且与所述测量膜(5)相对的内表面，其中在所述内表面上提供绝缘层(15)，尤其是二氧化硅(SiO₂)绝缘层(15)，并且

-所述电极(13)是在所述绝缘层(15)上施加到所述内表面上的导电涂层，尤其是掺杂多晶硅的涂层。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于

-所述平台(1)具有通道(9)，尤其是具有高纵横比的通道(9)，尤其是数量级为10到25的纵横比，所述通道延伸通过所述平台(1)并且通向所述压力腔室(3)，

-施加在所述平台(1)的所述内表面上的所述绝缘层(15)是绝缘层(17、17‘)的一部分，所述绝缘层(17、17‘)施加在所述平台(1)上并且在所述通道(9)的侧表面上从所述内表面延伸到在所述平台(1)的外表面上提供的连接区，并且

-所述电极(13)是导电涂层(19)的一部分，所述导电涂层(19)在所述绝缘层(17、17‘)上且在所述通道(9)的所述侧表面上从所述内表面延伸到在所述平台(1)的所述外表面上提供的所述连接区。

3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于

-在所述平台(1)的外边缘上提供凹口(27)，尤其是高度与所述平台(1)的厚度减去所述压力腔室(3)的高度(h)对应的凹口(27)，

-在这个凹口(27)的垂直于所述测量膜(5)延伸的侧表面上提供所述连接区，

-在所述导电涂层(19)上提供电极端子(21)，尤其是施加在所述导电涂层(19)上并且具有布置在所述连接区中的接触区的用于接触所述电极端子(21)，尤其是用于借助于引线接合来接触的金属化。

4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于

-在所述平台(1)的外边缘上提供暴露所述测量膜(5)的边缘区的凹口(25)，

-提供与所述测量膜(5)的所暴露的边缘区连接的膜端子(23)，尤其是通过金属化形成以用于电连接所述测量膜(23)的膜端子(23)，

-所述凹口(25)具有垂直于所述测量膜(5)延伸的侧表面，并且

-所述膜端子(23)具有布置在这个侧表面上用于接触所述膜端子(23)，尤其是用于借助于引线接合来接触的接触区。

5.根据权利要求3和4所述的压力传感器，其特征在于

-所述压力传感器具有四个外侧和两个相对端面，并且

-所述膜端子(23)的所述凹口(25)和所述电极端子(21)的所述凹口(27)提供在所述压力传感器的相同外侧上并且尤其通过位于其间的所述平台(1)的边缘区(45)彼此绝缘。

6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于

-所述平台(1)具有在外部包围所述压力腔室(3)的边缘区，并且

-所述边缘区的面向所述测量膜(5)的表面与所述测量膜(5)的外边缘连接，尤其是直接地或经由布置在所述平台(1)的所述边缘区的所述表面与所述测量膜(5)之间的连接层(11)连接，尤其是经由实施为包括施加在所述内表面(15)上的所述绝缘层的绝缘层(17‘)的一部分的连接层(11)连接。

7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于

所述平台(1)是单片平台(1)。

8.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于

所述绝缘层(15、17、17‘)具有数量级为1μm至5μm的涂层厚度，尤其是在所述绝缘层(17、17‘)的所有部分中基本上相等的涂层厚度。