[发明专利]包含碱金属和第二金属的金属层

权利要求书

1.一种与包含基本上共价的基质材料的半导体层相邻的金属层，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中

a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且

b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。

2.根据权利要求1所述的金属层，其中所述金属层的厚度在1nm至100nm范围内。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的金属层，其中所述第一金属选作Na或Li，和/或所述第二金属选作Zn和/或Te，优选地，所述第一金属选作Na，且所述第二金属选作Zn。

4.一种电子器件，其包含至少两个夹在第一电极和第二电极之间的不同的层以及所述器件的布置在所述电极之间的空间以外的任选的其它部分，其中所述不同的层包含根据权利要求1至3中任一项所述的与所述半导体层相邻的金属层。

5.根据权利要求4所述的电子器件，所述电子器件是有机发光二极管或有机光伏器件。

6.根据权利要求4或5所述的电子器件，其中所述金属层与所述电极中的一个相邻。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子器件，其中所述金属层是电荷产生层的一部分或电子注入层，优选是所述电荷产生层的电子注入部分的一部分。

8.一种用于制备根据权利要求1至3中任一项所述的金属层的方法，所述方法包括以下步骤：

(i)提供半导体层，

(ii)在小于10^-2Pa的压力下共蒸发在蒸发源中提供的组合物，所述蒸发源被加热至100℃至600℃的温度，其中所述组合物包含

a)至少一种选自Li、Na、K、Rb、Cs的第一金属；以及

b)至少一种选自Zn、Hg、Cd、Te的第二金属；以及

(iii)至少一个后续的共沉积步骤，其中所述第一金属和所述第二金属沉积在表面上，其中所述表面是在所述步骤(i)中提供的半导体层的表面，并且所述表面的温度低于所述蒸发源的温度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述组合物是基本上金属的，优选金属合金。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述基本上金属的组合物是所述合金并且所述蒸发源的温度低于所述金属合金的熔点。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述金属合金含有包含所述第一金属和所述第二金属的均匀相。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述基本上金属的组合物是所述合金并且所述金属合金的熔点比所述第一金属和/或所述第二金属的熔点高。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其中所述第一金属是钠和/或所述第二金属是锌。

14.一种用于制备根据权利要求4至7中任一项所述的电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：

(i)依次提供第一电极，和如果所述器件中存在布置在所述第一电极和半导体层之间的层，则提供所述层，

(ii)随后通过根据权利要求8至13中任一项所述的方法提供所述半导体层和所述金属层，以及

(iii)如果所述器件中在所述金属层与所述第二电极之间存在其余层，则提供所述其余层，提供所述第二电极，和如果存在所述器件的布置在所述电极之间的空间以外的任何其它部分，则提供所述任何其它部分。

15.金属合金的用途，所述合金包含至少一个包含至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和至少一种选自Zn、Cd、Hg和Te的第二金属的均匀相，所述金属合金用于

(i)制备根据权利要求1至3中任一项所述的金属层，和/或

(ii)制备根据权利要求4至7中任一项所述的电子器件。