[发明专利]用于开关的电子控制装置有效
申请号: | 201680065696.3 | 申请日: | 2016-09-12 |
公开(公告)号: | CN108292918B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 马提尔·格兰尼;盖尔·布隆德 | 申请(专利权)人: | 维洛发动机控制系统 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H02M1/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 法国赛尔吉圣克里斯多夫958*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 开关 电子 控制 装置 | ||
本发明提供用于开关,尤其用于机动车的电子控制装置。本发明涉及一种电子装置,尤其用于机动车的电子装置,此装置包括开关,且装置设计成在切换状态中允许借助于电位的此差异对穿过开关的电源电流的变化进行控制。
技术领域
本发明涉及一种用于开关的电子控制装置,尤其用于机动车的电子装置。
背景技术
由IGBT晶体管形成的开关是已知的。
在切换这种类型的开关期间,电源电流的变化可能非常高,这可在开关的端子处产生可能损害所述端子的过量电压。
发明内容
本发明旨在弥补此缺陷。
因此,本发明的主题是电子装置,尤其用于机动车的电子装置,此装置包括:
-开关,布置成从闭合状态切换为断开状态,
●在闭合状态中,电源电流穿过开关,
●在断开状态中,开关阻止电源电流穿过,
●当在切换状态中,开关从闭合状态切换为断开状态或从断开状态切换为闭合状态时,开关具有电源电流变化的频率,
-电位的两个测量点,以这种方式布置:使得在从闭合状态到断开状态的切换状态中在这两个测量点之间的现有电感伴有在两个点之间的电位差,
装置布置成在切换状态中允许使用此电位差对穿过开关的电源电流的变化进行控制。
归功于本发明,有可能获得在切换状态期间电源电流穿过开关的图像,这使得有可能控制电源电流的变化,且这通过测量在两个测量点(在其之间存在电感)之间的电位差。
本发明尤其使得有可能具有更可靠的装置。
本发明通过有足够电感值而使得有可能具有电流的变化的最优测量值。
在本发明的一实施例中,电源电流的变化的频率(也称为FdI/dt)基本上介于1兆赫(MHz)与100兆赫之间,确切地说介于10兆赫与50兆赫之间。
有利地,两个电位测量点之间的电感大于0.5纳亨(nHenry),确切地说大于1纳亨,例如2纳亨。与电流的变化值相关的这些电感值,有利地使得有可能获得几伏特的电压,例如介于1伏特与100伏特之间,确切地说介于1伏特与10伏特之间的电压。
具体来说,在比电源电流的变化的频率(FdI/dt)低的频率下,确切地说在比电源电流的变化的频率(FdI/dt)小100倍的频率下,在两个测量点处的电位实质上相等。此电位差例如小于0.25伏特,介于例如0.02伏特与0.25伏特之间。
优选地,在切换状态中,在两个测量点之间的电位差用于确定穿过开关的电源电流的变化。
在切换状态中,在两个测量点之间的电位差尤其维持恒定。
有利地,在切换状态中,两个测量点之间的电位差使用对穿过开关的电源电流进行控制来维持恒定。
在本发明的一实施例中,开关是晶体管。
晶体管可以是绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT),包括集电极、发射极以及栅极。
或者,晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)。
在本发明的一实施例中,两个测量点布置在开关的上游。
在此情况下,确切地说当开关是IGBT时,两个测量点中的一个有利地放置在开关的集电极处。
或者,两个测量点布置在开关下游。
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