[发明专利]具有改进的电源噪声抑制的可变增益放大器

权利要求书

1.一种可变增益放大器，包括：

包括第一栅极、第一源极、以及第一漏极的第一场效应晶体管FET，其中所述第一栅极被配置成接收第一差分信号的正分量，并且其中所述第一源极和所述第一漏极耦合在第一电压轨与第二电压轨之间；

包括第二栅极、第二源极、以及第二漏极的第二FET，其中所述第二栅极被配置成接收所述第一差分信号的负分量，并且其中所述第二源极和所述第二漏极耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间；

直接耦合在第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一电容器；以及

直接耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二电容器，其中所述第一电压轨处的第一电源电压和所述第三电压轨处的第二电源电压两者都是基于第四电压轨来生成的。

2.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量是基于所述第一电压轨处的所述第一电源电压的。

3.如权利要求2所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括前级电路，所述前级电路配置成基于输入信号来生成所述第一差分信号的所述正分量和所述负分量。

4.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一电压轨处的所述第一电源电压包括比所述第三电压轨处的所述第二电源电压大的电源噪声。

5.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：

耦合在所述第三电压轨与所述第二电压轨之间的分压器，其中所述分压器被配置成生成偏置电压，其中所述第一电容器和所述第二电容器分别包括基于所述偏置电压的第一电容和第二电容。

6.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一电容器和第二电容器分别包括第一可变电容器和第二可变电容器。

7.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第一FET的所述第一源极之间的第一组电容路径，所述第二电容器包括配置成选择性地耦合在所述第三电压轨与所述第二FET的所述第二源极之间的第二组电容路径。

8.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括耦合在所述第一FET的所述第一源极与所述第二FET的所述第二源极之间的电阻器。

9.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：

耦合在所述第一电压轨与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一电阻器；

耦合在所述第一电压轨与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二电阻器；

其中第二差分信号的负分量是在所述第一电阻器与所述第一FET的所述第一漏极之间的第一节点处生成的；以及

其中所述第二差分信号的正分量是在所述第二电阻器与所述第二FET的所述第二漏极之间的第二节点处生成的。

10.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，进一步包括：

包括第三栅极、第三源极、以及第三漏极的第三FET，其中所述第三栅极被配置成接收配置成设置经过所述第三FET的第一电流的偏置电压，并且其中，所述第三源极和所述第三漏极与所述第一FET的所述第一源极和所述第一漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间；以及

包括第四栅极、第四源极、以及第四漏极的第四FET，其中所述第四栅极被配置成接收配置成设置经过所述第四FET的第二电流的所述偏置电压，并且其中，所述第四源极和所述第四漏极与所述第二FET的所述第二源极和所述第二漏极串联耦合在所述第一电压轨与所述第二电压轨之间。