[发明专利]RF开关中改进的接触部

权利要求书

1.一种MEMS器件，包括：

衬底，其具有形成在其中的多个电极，其中所述多个电极至少包括锚电极、下拉电极和RF电极；

绝缘层，其设置在所述衬底和所述多个电极之上，其中所述绝缘层具有穿过其形成以暴露所述锚电极的第一开口，以及穿过其形成以暴露所述RF电极的第二开口；

接触层，其中所述接触层包括设置在所述第一开口内并与所述锚电极接触的第一部分，设置在所述第二开口内并与所述RF电极接触的第二部分，并且其中所述接触层是导电的，以及

开关元件，其设置在绝缘层之上，其中所述开关元件包括腿部分、桥部分和与所述接触层的第一部分接触的锚部分，并且其中所述桥部分能够从与所述接触层的第二部分间隔开的第一位置和与所述接触层的第二部分接触的第二位置移动，

其中，所述RF电极在与所述接触层的第二部分相邻的位置处具有第一高度，并且在与所述接触层的第二部分接触的位置处具有第二高度，其中所述第二高度大于所述第一高度。

2.一种MEMS器件，包括：

衬底，其具有形成在其中的多个电极，其中所述多个电极至少包括锚电极、下拉电极和RF电极；

绝缘层，其设置在所述衬底和所述多个电极之上，其中所述绝缘层具有穿过其形成以暴露所述锚电极的第一开口，以及穿过其形成以暴露所述RF电极的第二开口；

接触层，其中所述接触层包括设置在所述第一开口内并与所述锚电极接触的第一部分，设置在所述第二开口内并与所述RF电极接触的第二部分，并且其中所述接触层是导电的，以及

开关元件，其设置在绝缘层之上，其中所述开关元件包括腿部分、桥部分和与所述接触层的第一部分接触的锚部分，并且其中所述桥部分能够从与所述接触层的第二部分间隔开的第一位置和与所述接触层的第二部分接触的第二位置移动，其中所述锚电极在与所述接触层的第一部分相邻的位置处具有第一高度，在与所述接触层的第一部分接触的位置处具有第二高度，以及在与所述绝缘层接触的位置处具有第三高度，其中所述第二高度大于所述第一高度。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其中所述第二高度等于所述第三高度。

4.根据权利要求3所述的MEMS器件，其中所述RF电极在与所述接触层的第二部分相邻的位置处具有第四高度，其中所述RF电极在与所述第二部分接触的位置处具有第五高度，并且其中所述第五高度大于所述第四高度。

5.根据权利要求4所述的MEMS器件，其中所述第五高度等于所述第二高度。

6.一种制造MEMS器件的方法，包括：

在衬底之上沉积绝缘层，所述衬底具有形成在其中的多个电极，其中所述多个电极至少包括锚电极、拉入电极和RF电极；

移除所述绝缘层的至少一部分以形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露所述锚电极的至少一部分，所述第二开口暴露所述RF电极的至少一部分；

在所述绝缘层之上，并且在所述锚电极上的第一开口内以及所述RF电极上的第二开口内沉积接触层；

移除所述接触层的一部分，其中第一部分保留在所述锚电极上的第一开口内，并且其中第二部分保留在所述RF电极上的第二开口内；以及

在所述衬底之上形成开关元件，其中所述开关元件包括耦接到所述接触层的第一部分的锚部分，其中所述开关元件还包括腿部分和桥部分，其中所述开关元件能够从与所述接触层的第二部分间隔开的第一位置和与所述接触层的第二部分接触的第二位置移动，其中所述锚电极在与所述接触层的第一部分相邻的位置处具有第一高度，在与所述接触层的第一部分接触的位置处具有第二高度，以及在与所述绝缘层接触的位置处具有第三高度，其中所述第二高度大于所述第一高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二高度等于所述第三高度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述RF电极在与所述接触层的第二部分相邻的位置处具有第四高度，其中所述RF电极在与所述第二部分接触的位置处具有第五高度，并且其中所述第五高度大于所述第四高度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第五高度等于所述第二高度。