[发明专利]高功率RF MEMS开关的热管理有效
申请号: | 201680066442.3 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN108352275B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩;理查德·L·奈普 | 申请(专利权)人: | 卡文迪什动力有限公司 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00;H01H1/00 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 邰凤珠;刘继富 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 rf mems 开关 管理 | ||
1.一种MEMS器件,包括:
其中形成有多个电极的衬底,其中所述多个电极至少包括锚电极、拉入电极和RF电极;
设置在所述多个电极和所述衬底之上的绝缘层;
设置在所述绝缘层之上的开关元件,其中所述开关元件包括锚部分、腿部分和桥部分,并且其中所述锚部分电耦接到所述锚电极;
耦接到所述RF电极的第一柱,其中所述第一柱直接设置在所述绝缘层上;以及
电耦接到所述锚电极的第二柱,其中所述开关元件能够在与所述第一柱和所述第二柱间隔开的第一位置和与所述第一柱和所述第二柱接触的第二位置之间移动。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第二柱包括导电和导热材料。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件,其中所述开关元件具有底面,所述底面具有既导电又导热的第一部分和电绝缘的第二部分。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第二柱和第一柱均具有顶面,并且其中所述顶面包含相同的材料。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第二柱位于使得当所述开关元件处于所述第二位置时所述桥部分与所述第二柱接触的位置。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一柱位于使得当所述开关元件处于所述第二位置时所述桥部分与所述第一柱接触的位置。
7.根据权利要求1所述的MEMS器件,还包括设置在所述开关元件之上的上拉电极。
8.一种MEMS器件,包括:
其中形成有多个电极的衬底,其中所述多个电极至少包括锚电极、拉入电极和RF电极;
设置在所述多个电极和所述衬底之上的绝缘层;
设置在所述绝缘层之上的开关元件,其中所述开关元件包括锚部分、腿部分和桥部分,并且其中所述锚部分电耦接到所述锚电极;其中所述开关元件具有底面,所述底面具有绝缘部分和导电部分;
耦接到所述RF电极的第一柱,其中所述第一柱直接设置在所述绝缘层上;以及
设置在所述锚电极之上并且电耦接到所述锚电极的第二柱,其中所述开关元件能够在与所述第一柱和所述第二柱间隔开的第一位置和与所述第一柱和所述第二柱接触的第二位置之间移动,并且其中所述绝缘部分在所述第二位置接触所述第二柱,并且所述导电部分在所述第二位置接触所述第一柱。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中所述第二柱包括导电和导热材料。
10.根据权利要求9所述的MEMS器件,其中所述开关元件具有底面,所述底面具有既导电又导热的第一部分和电绝缘的第二部分。
11.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中所述第二柱和第一柱均具有顶面,并且其中所述顶面包含相同的材料。
12.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中所述第二柱位于使得当所述开关元件处于所述第二位置时所述桥部分与所述第二柱接触的位置。
13.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中所述第一柱位于使得当所述开关元件处于所述第二位置时所述桥部分与所述第一柱接触的位置。
14.根据权利要求8所述的MEMS器件,还包括设置在所述开关元件之上的上拉电极。
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