[发明专利]晶圆抛光方法

权利要求书

1.一种晶圆抛光方法，其使用具备将晶圆的按压面划分为多个压力区并能够独立地对各压力区进行加压控制的多区加压方式的抛光头的晶圆抛光装置以对晶圆表面进行镜面抛光，所述晶圆抛光方法的特征在于，具有：

测定步骤，测定晶圆表面的纳米形貌图；及

抛光步骤，根据所述纳米形貌图的测定结果，针对各压力区设定所述抛光头对于所述晶圆的抛光压力，以实施抛光加工，

控制该抛光压力，使得对于纳米形貌越大的区域，对该区域的所述抛光压力越小。

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其中，

事先准备纳米形貌的大小及对于已形成该纳米形貌的晶圆的适当的抛光压力的换算式，由所述纳米形貌图的测定结果和所述换算式计算各压力区的抛光压力。

3.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其中，

由属于同一个压力区的多个站点纳米形貌的平均值计算该压力区的抛光压力。

4.根据权利要求2所述的晶圆抛光方法，其中，

由属于同一个压力区的多个站点纳米形貌的平均值计算该压力区的抛光压力。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆抛光方法，其中，

所述多个压力区被划分为同心圆状。