[发明专利]半导体用膜组合物、各制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：

化合物(A)，具有Si-O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；

交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及

极性溶剂(D)，

所述交联剂(B)中，所述3个以上-C(＝O)OX基中的至少一个X为碳数1以上6以下的烷基，

所述交联剂(B)在分子内具有环结构，

交联剂(B)中的羧基数相对于化合物(A)中的全部氮原子数的比率、即COOH/N为0.1以上3.0以下。

2.一种用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含：

化合物(A)，具有Si-O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团，所述化合物(A)的重均分子量为130以上10000以下；

交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及

极性溶剂(D)，

所述交联剂(B)中，所述3个以上-C(＝O)OX基中的至少一个X为碳数1以上6以下的烷基，

所述交联剂(B)在分子内具有环结构，

交联剂(B)中的羧基数相对于化合物(A)中的全部氮原子数的比率、即COOH/N为0.1以上3.0以下。

3.根据权利要求1或2所述的用于生成半导体装置用膜的组合物，所述环结构为苯环和萘环中的至少一方。

4.根据权利要求1或2所述的用于生成半导体装置用膜的组合物，其进一步包含添加剂(C)，所述添加剂(C)选自由具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸(C-1)和具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱(C-2)组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的用于生成半导体装置用膜的组合物，其包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺和分子内具有环结构且重均分子量90以上600以下的胺化合物组成的组中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的用于生成半导体装置用膜的组合物，其用于在基板形成的凹部的填充材料。

7.根据权利要求1或2所述的用于生成半导体装置用膜的组合物，其用于多层抗蚀剂法。

8.一种用于生成半导体装置用膜的组合物的制造方法，其是制造权利要求1～7中任一项所述的用于生成半导体装置用膜的组合物的制造方法，包含将所述化合物(A)与所述交联剂(B)混合的混合工序。

9.根据权利要求8所述的制造方法，所述混合工序为将具有羧基且重均分子量46以上195以下的酸(C-1)和所述化合物(A)的混合物与所述交联剂(B)进行混合的工序。

10.根据权利要求8所述的制造方法，所述混合工序为将具有氮原子且重均分子量17以上120以下的碱(C-2)和所述交联剂(B)的混合物与所述化合物(A)进行混合的工序。

11.一种半导体用构件的制造方法，其是使用权利要求1～7中任一项所述的用于生成半导体装置用膜的组合物来制造半导体用构件的制造方法，具有：

将所述用于生成半导体装置用膜的组合物赋予到基板上的赋予工序、以及

对赋予了所述用于生成半导体装置用膜的组合物的所述基板以温度250℃以上425℃以下的条件进行加热的加热工序。