[发明专利]光电子部件

权利要求书

1.一种光电子部件，其包括：

包括波导脊的光学有源区域OAR，所述OAR具有上表面和下表面；

下部掺杂区域，其中所述下部掺杂区域位于所述OAR的所述下表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第一方向从所述波导脊侧向向外延伸；

上部掺杂区域，其中所述上部掺杂区域位于所述OAR的所述波导脊的所述上表面的至少一部分处和/或与之相邻，并且以第二方向从所述波导脊侧向向外延伸；和

位于所述下部掺杂区域与所述上部掺杂区域之间的本征区域，

其中所述OAR形成所述本征区域的至少一部分，

其中所述上部掺杂区域包括第一掺杂区和第二掺杂区；

其中所述上部掺杂区域的所述第二掺杂区中的掺杂剂浓度高于所述上部掺杂区域的所述第一掺杂区中的掺杂剂浓度；

其中所述下部掺杂区域包括第一掺杂区和第二掺杂区；

其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区中的掺杂剂浓度高于所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区中的掺杂剂浓度。

2.如权利要求1所述的光电子部件，其进一步包括在第一接触表面处接触所述下部掺杂区域的第一电极和在第二接触表面处接触所述上部掺杂区域的第二电极；

其中所述第一接触表面以所述第一方向从所述波导脊侧向偏移；和

其中所述第二接触表面以所述第二方向从所述波导脊侧向偏移。

3.如权利要求2所述的光电子部件，其中所述第一接触表面和第二接触表面沿着侧向平面彼此对准。

4.如权利要求2或权利要求3所述的光电子部件，

其中所述上部掺杂区域的所述第二掺杂区包括所述第二接触表面。

5.如权利要求4所述的光电子部件，其中所述上部掺杂区域的第一掺杂区在所述OAR的所述波导脊的所述上表面处和/或与之相邻，且所述第二掺杂区位于以所述第二方向从所述波导脊侧向移位的位置处。

6.如权利要求2或权利要求3所述的光电子部件，

其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区包括所述第一接触表面。

7.如权利要求6所述的光电子部件，其中

所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区位于所述OAR的正下方；和

所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区位于所述OAR内，从所述波导脊侧向移位，所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区具有包括所述第一接触表面的上表面和与所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区直接接触的下表面。

8.如权利要求7所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区位于所述OAR的高度降低的部分内。

9.如权利要求8所述的光电子部件，其中所述OAR的高度降低的所述部分是在添加所述下部掺杂区域的掺杂剂物质之前所述OAR的已经被蚀刻的部分。

10.如权利要求6所述的光电子部件，其中

所述下部掺杂区域的所述第一掺杂区位于所述OAR的正下方；

所述OAR包括以所述第一方向延伸的平板，所述平板在以所述第一方向从所述波导脊侧向移位的位置处呈现穿过其厚度的通孔；和

其中所述下部掺杂区域的所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区内，在所述通孔的正下方。

11.如权利要求1-3中的任一项所述的光电子部件，其中所述下部掺杂区域与所述OAR的所述下表面部分地相邻，并在所述下表面处部分地迁移到所述OAR中。

12.如权利要求1-3中的任一项所述的光电子部件，其中所述上部掺杂区域完全位于所述OAR内。

13.如权利要求1-3中的任一项所述的光电子部件，其中所述OAR由响应于所施加电场的施加而出现弗朗兹-凯尔迪什效应的电吸收材料形成。