[发明专利]液处理装置有效
申请号: | 201680066935.7 | 申请日: | 2016-11-02 |
公开(公告)号: | CN108292597B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 入山哲郎;梅野慎一;高木康弘;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明的实施方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1器件、第2供给通路、第2器件、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基板。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1器件用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第1处理液高温的第2处理液。第2器件用于对第2供给通路供给第2处理液。壳体收纳处理部。外部壳体与壳体相邻,收纳第1器件和第2器件。另外,外部壳体在第1器件和第2器件之间具有分隔壁。
技术领域
本发明的实施方式涉及液处理装置。
背景技术
现有技术中,已知对半导体晶片、玻璃基片等的基片进行液处理的液处理装置。
在液处理装置中,存在用于供给处理液的多个配管集中配置在比较狭窄的区域中的情况。在这样的情况下,存在在高温中使用的处理液的配管的附近,存在在常温和低温中使用的处理液的配管时,由于来自高温中使用的处理液的配管的散热而在常温和低温中使用的处理液的温度上升的问题。
因此,近年来,提出了将高温中使用的处理液的配管收纳在收纳多个液处理单元的壳体一侧,并且,将在常温和低温中使用的处理液的配管收纳在与壳体相邻的外部壳体一侧,并且,将贮存高温的处理液的罐配置在壳体和外部壳体的外部的液处理装置(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-099528号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是,为了实现装置的省空间化,例如在上述的现有技术中所示的在外部壳体配置贮存高温的处理液的罐等的情况下,产生在配管等的设备中流通的常温、低温中使用的处理液和高温的处理液之间受到热影响的不良状况。
实施方式的一个方式,其目的在于提供一种能够降低收纳在共同的外部壳体中的用于处理液的供给的设备之间的热影响的液处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1设备、第2供给通路、第2设备、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基片。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1设备用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第1处理液高温的第2处理液。第2设备用于对第2供给通路供给第2处理液。壳体收纳处理部。外部壳体与壳体相邻,收纳第1设备和第2设备。另外,外部壳体在第1设备与第2设备之间具有分隔壁。
发明效果
根据实施方式的一个方式,能够降低收纳在共同的外部壳体中的处理液的供给所使用的设备之间的热影响。
附图说明
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。
图2是用于说明处理单元的构成的图。
图3是用于说明外部壳体的配置的图。
图4是用于说明外部壳体的构成的图。
图5是用于说明外部壳体的构成的图。
图6是用于说明外部壳体的构成的图。
图7是用于说明硫酸的供给系统的构成的图。
图8是用于说明第1供给部中的设备的配置的图。
图9是用于说明第1供给部中的设备的配置的图。
图10是用于说明主配管的配置的图。
图11是用于说明第一个第2主配管和第二个第2主配管的配置的图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680066935.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:氮硅化钨膜及其形成方法
- 下一篇:基板处理装置的腔室清洁方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造