[发明专利]叠层体基板、导电性基板、叠层体基板的制造方法、导电性基板的制造方法

权利要求书

1.一种叠层体基板，其包括：

透明基材；以及

叠层体，形成在所述透明基材的至少一个面侧，

所述叠层体包括合金层与铜层，所述合金层包含铜与镍，

所述合金层包含的金属成分中，镍的比率为10质量％以上25质量％以下。

2.根据权利要求1所述的叠层体基板，其中，

所述合金层包含铜、镍及锌，所述合金层包含的金属成分中，镍的比率为10质量％以上25质量％以下，锌的比率为10质量％以上30质量％以下。

3.根据权利要求1或2所述的叠层体基板，其中，

所述叠层体包括作为所述合金层的第1合金层及第2合金层，

所述铜层被配置在所述第1合金层与所述第2合金层之间。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的叠层体基板，其中，

在L*a*b*表色系中，所述合金层的波长380nm以上780nm以下的光的a*为9以下，L*为80以上。

5.一种导电性基板，其包括：

透明基材；以及

金属细线，形成在所述透明基材的至少一个面侧，

所述金属细线是包括合金配线层与铜配线层的叠层体，

所述合金配线层包含铜与镍，

所述合金配线层包含的金属成分中，镍的比率为10质量％以上25质量％以下。

6.根据权利要求5所述的导电性基板，其中，

所述合金配线层包含铜、镍及锌，

所述合金配线层包含的金属成分中，镍的比率为10质量％以上25质量％以下，锌的比率为10质量％以上30质量％以下。

7.根据权利要求5或6所述的导电性基板，其中，

所述金属细线包括作为所述合金配线层的第1合金配线层及第2合金配线层，

所述铜配线层被配置在所述第1合金配线层与所述第2合金配线层之间。

8.一种叠层体基板的制造方法，其包括：

透明基材准备工序，准备透明基材；以及

叠层体形成工序，在所述透明基材的至少一个面侧形成叠层体，

所述叠层体形成工序包括：

铜层形成步骤，由用于堆积铜的铜层成膜法形成铜层；以及

合金层形成步骤，由用于堆积包含铜与镍的合金层的合金层成膜法形成合金层，

在减压氛围下实施所述合金层形成步骤，所述合金层包含的金属成分中，镍的比率为10质量％以上25质量％以下。

9.根据权利要求8所述的叠层体基板的制造方法，其中，

所述合金层包含铜、镍及锌，所述合金层包含的金属成分中，镍的比率为10质量％以上25质量％以下，锌的比率为10质量％以上30质量％以下。

10.根据权利要求8或9所述的叠层体基板的制造方法，其中，

所述合金层成膜法是溅镀成膜法。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的叠层体基板的制造方法，其中，

所述合金层的厚度为10nm以上。

12.一种导电性基板的制造方法，其包括，

蚀刻工序，对通过权利要求8至11中的任一项所述的叠层体基板的制造方法获得的叠层体基板的所述铜层与所述合金层进行蚀刻，形成包括金属细线的配线图案，所述金属细线是包括铜配线层与合金配线层的叠层体，

通过所述蚀刻工序，在所述铜层及所述合金层上形成开口部。

13.根据权利要求12所述的导电性基板的制造方法，其中，

在L*a*b*表色系中，所述合金配线层的波长380nm以上780nm以下的光的a*为9以下，L*为80以上。