[发明专利]具有散热的电气元器件

权利要求书

1.一种具有改进的导热的电气元器件，其具有芯片(CH)，所述芯片包括产生损耗热量的元件

具有施加在芯片上的辐射层(ASS)，所述辐射层与所述产生损耗热量的元件热接触

其中所述辐射层具有粗糙化表面。

2.根据权利要求1所述的元器件，

在其中所述辐射层(ASS)具有柱状结构且构造为多晶体层或晶体层。

3.根据权利要求2所述的元器件，

在其中所述辐射层(ASS)是AlN层，所述AlN层通过晶体定向的回刻在表面中进一步扩大。

4.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中所述辐射层(ASS)施加在所述芯片的第一表面区域(SA1)上，在其中所述产生损耗热量的元件布置在所述芯片的第二表面区域(SA2)上，

其中第一和第二表面区域并排布置。

5.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中附加的导热层(WLS)在所述第一和第二表面区域(SA1，SA2)上延伸，该附加的导热层在所述芯片(CH)上但是在所述辐射层(ASS)和所述产生损耗热量的元件之下构造导热路径。

6.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中遮盖层(CL)在所述产生损耗热量的元件之上延伸，所述辐射层(ASS)布置在所述遮盖层上。

7.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中所述遮盖层(CL)是薄膜包装的一部分，所述薄膜包装直接在承载所述元器件结构(BES)的所述芯片(CH)上产生且所述薄膜包装构造用于所述产生损耗热量的元件的腔体。

8.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中所述遮盖层(CL)放置在所述腔体上且在所述腔体旁边以所述芯片的表面结束。

9.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中所述芯片包括BAW或FBAR谐振器，在其中所述辐射层(ASS)直接施加到所述BAW或FBAR谐振器的最上面的层上。

10.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中所述芯片包括压电基板和布置在该压电基板上的元器件结构(BES)，所述元器件结构构造成用于产生、转换、传播或反射声表面波SAW，

在其中所述辐射层(ASS)在所述元器件结构(BES)旁边在所述第一表面区域(SA1)中直接施加到所述基板上，其中所述第一表面区域不延伸到所述表面波的声路径中。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的元器件，

在其中所述芯片包括半导体基板和布置在该半导体基板上和/或集成到该半导体基板中的元器件结构(BES)，

在其中所述芯片为半导体元器件。

12.根据权利要求11所述的元器件，

在其中所述芯片包括集成的电路。

13.根据权利要求1至9中任一项所述的元器件，

在其中所述芯片包括BAW或FBAR谐振器。

14.根据前述权利要求中任一项所述的元器件，

在其中所述芯片以倒装芯片布置如此安装在支架上，即使得具有所述元器件结构(BES)的表面和所述辐射层(ASS)面向所述支架(TR)，

在其中在所述支架(TR)的面向所述芯片(CH)的表面上施加有另外的辐射层(ASS_w)。