[发明专利]气体阻隔性膜、照明装置和显示装置有效
| 申请号： | 201680067353.0 | 申请日： | 2016-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN108349211B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 铃木一生;新真琴 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C23C16/42;H01L51/50;H05B33/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵雁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 照明 装置 显示装置 | ||
1.一种气体阻隔性膜，其特征在于，在基膜的至少一侧的表面上具有至少含有Si原子、O原子和C原子的气体阻隔层，
所述气体阻隔层中的利用X射线光电子能谱法得到的C含量的平均值为15atm％以下，且基于所述气体阻隔层的层厚的深度方向的C1s的波形分析的相对于C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的合计量(100％)的C＝O键和C＝OO键的总和的平均值为8％以下，
所述气体阻隔层通过如下方式得到：通过使四甲基环四硅氧烷(TMCTS)或三甲氧基甲基硅烷(TMOMS)和氧反应，形成氧化碳化硅膜。
2.一种气体阻隔性膜，其特征在于，在基膜的至少一侧的表面上具有至少含有Si原子、O原子和C原子的气体阻隔层，
所述气体阻隔层中的利用X射线光电子能谱法得到的C含量的平均值为15atm％以下，并且在所述气体阻隔层的层厚的深度方向的C1s的波形分析中得到的C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的各构成键的深度方向的键分布曲线中，所述气体阻隔层的深度方向的距所述气体阻隔层的表面的距离与相对于C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的合计量(100％)的C－C键的键分布曲线具有至少二个以上的极值，所述C－C键的比率的最大的极值和最小的极值之差为15％～95％，
所述气体阻隔层通过如下方式得到：通过使四甲基环四硅氧烷(TMCTS)或三甲氧基甲基硅烷(TMOMS)和氧反应，形成氧化碳化硅膜。
3.一种气体阻隔性膜，其特征在于，在基膜的至少一侧的表面上具有至少含有Si原子、O原子和C原子的气体阻隔层，
所述气体阻隔层中的利用X射线光电子能谱法得到的C含量的平均值为15atm％以下，基于所述气体阻隔层的层厚的深度方向的C1s的波形分析的相对于C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的合计量(100％)的C＝O键和C＝OO键的总和的平均值为8％以下，
并且在所述气体阻隔层的层厚的深度方向的C1s的波形分析中得到的C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的各构成键的深度方向的键分布曲线中，所述气体阻隔层的深度方向的距所述气体阻隔层的表面的距离与相对于C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的合计量(100％)的C－C键的键分布曲线具有至少二个以上的极值，所述C－C键的比率的最大的极值和最小的极值之差为15％～95％，
所述气体阻隔层通过如下方式得到：通过使四甲基环四硅氧烷(TMCTS)或三甲氧基甲基硅烷(TMOMS)和氧反应，形成氧化碳化硅膜。
4.一种照明装置，其特征在于，使用权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔性膜作为密封材料。
5.一种显示装置，其特征在于，使用权利要求1～3中任一项所述的气体阻隔性膜作为密封材料。
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