[发明专利]气体阻隔性膜及电子器件在审

专利信息
申请号: 201680067430.2 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN108290377A 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 西尾昌二;森孝博 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B32B7/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/20;C23C14/34;H05B33/10;H05B33/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 气体阻隔性膜 非过渡金属 气体阻隔层 过渡金属 混合区域 基材 光学各向异性 气体阻隔性 电子器件 原子数比 光波长 延迟
【权利要求书】:

1.一种气体阻隔性膜,其为在基材上具有气体阻隔层的气体阻隔性膜,其特征在于,

上述气体阻隔层至少在厚度方向上沿厚度方向连续地具有5nm以上的混合区域,该混合区域是含有非过渡金属M1及过渡金属M2的区域,上述过渡金属M2对于上述非过渡金属M1的原子数比的值(M2/M1)在0.02~49的范围内,

上述基材在23℃·55%RH的环境下测定光波长590nm处的用下述式(i)定义的延迟值Ro的绝对值在0~30nm的范围内,

式(i):Ro=(nx-ny)×d(nm)

式(i)中,Ro表示基材的面内延迟值;d表示基材的膜厚,nx表示基材的面内的最大(滞相轴方向)的折射率;ny表示在基材的面内与滞相轴成直角的方向(进相轴方向)的折射率,予以说明,测定条件与上述相同。

2.根据权利要求1所述的气体阻隔性膜,其特征在于,上述气体阻隔层在含有上述过渡金属M2作为主成分的区域与含有上述非过渡金属M1作为主成分的区域之间具有上述混合区域。

3.根据权利要求1或2所述的气体阻隔性膜,其特征在于,上述非过渡金属M1为硅(Si)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的气体阻隔性膜,其特征在于,上述过渡金属M2为长式元素周期表的第5族元素。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的气体阻隔性膜,其特征在于,上述过渡金属M2为铌(Nb)或钽(Ta)。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的气体阻隔性膜,其特征在于,在上述混合区域的组成中还含有氧。

7.根据权利要求6所述的气体阻隔性膜,其特征在于,用下述化学组成式(1)表示上述混合区域的组成时,上述混合区域的至少一部分满足下述关系式(2):

化学组成式(1):(M1)(M2)xOyNz

关系式(2):(2y+3z)/(a+bx)<1.0

式中,M1表示非过渡金属,M2表示过渡金属,O表示氧,N表示氮,x、y、z表示化学计量系数,0.02≤x≤49,0<y,0≤z,a表示M1的最大价数,b表示M2的最大价数。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的气体阻隔性膜,其特征在于,上述基材含有选自甲基丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、纤维素酰化物树脂、聚碳酸酯树脂、脂环式聚烯烃树脂及聚芳酯树脂中的树脂。

9.一种电子器件,其特征在于,具备根据权利要求1-8中任一项所述的气体阻隔性膜。

10.根据权利要求9所述的电子器件,其特征在于,具有含有量子点的树脂层。

11.根据权利要求9所述的电子器件,其特征在于,具备有机电致发光元件。

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