[发明专利]具有通过载流子选择性触点互连的多个吸收体的太阳能电池有效
申请号: | 201680067803.6 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN108352421B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 罗比·派博斯特 | 申请(专利权)人: | 太阳能研究所股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/0747;H01L31/0725 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 德国埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 通过 载流子 选择性 触点 互连 吸收体 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,包括至少两个不同材料的不同吸收体(104,108),用于通过在不同的光谱范围内吸收而将辐射能量转换成电能,其中:
(a)所述太阳能电池配置为单体,
(b)第一吸收体(108)由晶体硅制成,
(c)在第一吸收体(108)的朝向相邻的第二吸收体(104)的一侧上具有载流子选择性触点,所述载流子选择性触点对于选自包括空穴和电子的组的一种类型载流子比对于另一种类型载流子更易透过,并且很好地钝化第一吸收体(108)的相应表面,以及
(d)所述载流子选择性触点由薄的界面电介质层(107)和施加于其上的主要由硅构成的非晶、部分结晶或多晶层形成,所述非晶、部分结晶或多晶层(106)为p掺杂或所述非晶、部分结晶或多晶层(201)为n掺杂,
所述薄的界面电介质层(107)布置成具有与所述第一吸收体的界面,
所述非晶、部分结晶或多晶层具有施加于其上的提取层,该提取层用于从所述第二吸收体提取与所述载流子选择性触点更易透过的所述一种类型的载流子相反类型的载流子。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中非晶、部分结晶或多晶硅层(106,201)被掺杂至使得与施加于其上的层(105,103)形成隧道接触的程度。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其中通过调节层厚度和/或掺杂来选择性地调节非晶、部分结晶或多晶硅层(106,201)中的干涉效应和/或光吸收,以使在第一吸收体(108)中产生的电流密度与在所述第二吸收体(104)中产生的电流密度匹配。
4.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中所述界面电介质是界面氧化物。
5.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中在面对和/或背对太阳照射(100)的一侧的第二吸收体(104)由钙钛矿材料构成。
6.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中布置在面对和/或背对太阳照射(100)的一侧的第二吸收体(104)由III-V族化合物半导体构成。
7.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中布置在面对和/或背对太阳照射(100)的一侧的第二吸收体(104)由I-III-VI族化合物半导体构成。
8.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中布置在面对和/或背对太阳照射(100)的一侧的第二吸收体(104)由II-VI族化合物半导体构成。
9.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中布置在背对太阳照射(100)的一侧的第二吸收体(104)由锗或硅-锗混合物构成。
10.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中布置在面对太阳照射(100)的一侧的第二吸收体(104)由非晶硅构成。
11.根据前述权利要求1或2所述的太阳能电池,其中所述界面电介质是不包括界面氧化物的任何界面电介质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的