[发明专利]全模制周边堆叠封装设备

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括半导体晶粒安装位点的临时载体；

在所述临时载体上方形成绝缘层；

在所述临时载体上方的所述绝缘层内形成开口，所述开口定位在所述半导体晶粒安装位点内部和外部；

形成所述开口后，通过在所述开口内设置导电材料在所述开口内形成导电焊盘；

在所述临时载体、所述绝缘层和所述导电焊盘上方形成背面再分布层(RDL)，之后将半导体晶粒安装在所述半导体晶粒安装位点处；

在所述半导体晶粒安装位点的周边中的所述临时载体上方形成导电互连件；

在所述半导体晶粒安装位点处将包括电互连结构的半导体晶粒正面朝上安装到所述绝缘层，所述电互连结构远离所述绝缘层；

用模制化合物密封所述导电互连件、背面RDL和半导体晶粒；

移除一部分所述模制化合物以暴露所述导电互连件和所述半导体晶粒的所述电互连结构；

形成连接到所述半导体晶粒和所述导电互连件的堆焊互连结构；以及

移除所述临时载体以暴露所述绝缘层和所述导电焊盘的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述绝缘层包括具有大于25μm的高度或厚度H2的耐环氧层压体；并且

所述绝缘层、所述导电焊盘和所述背面RDL形成背面堆焊互连结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电焊盘具有大于25μm的高度或厚度H2和大于60μm的宽度W1。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电互连件包括铜柱，所述铜柱具有大于100μm的高度H3。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体器件的高度或总主体厚度小于或等于300μm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述临时载体由与所述模制化合物、所述绝缘层或这两者相同的材料形成，以减小在所述半导体器件的处理过程中热胀系数(CTE)的不匹配和翘曲。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述背面RDL具有在10-30μm范围内的细间距。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供包括半导体晶粒安装位点的临时载体；

在所述临时载体上方形成绝缘层；

在所述绝缘层中的开口内形成具有大于25μm的高度或厚度H2的导电焊盘，所述导电焊盘形成在所述晶粒安装位点内部和外部；

在所述临时载体上方形成背面再分布层(RDL)，之后将半导体晶粒安装在所述晶粒安装位点处；

在所述半导体晶粒安装位点的周边中的所述临时载体上方形成导电互连件；

在所述半导体晶粒安装位点处将半导体晶粒正面朝上安装到所述背面RDL，所述半导体晶粒包括远离所述背面RDL设置的电互连结构；

用模制化合物密封所述导电互连件、背面RDL和半导体晶粒；

移除一部分所述模制化合物以暴露所述导电互连件和所述半导体晶粒的所述电互连结构的第一端，并形成与所述导电互连件和所述电互连结构的第一端共面的所述模制化合物的第一表面；

形成连接到所述半导体晶粒和所述导电互连件的堆焊互连结构；以及

移除所述临时载体以暴露所述绝缘层和所述导电焊盘。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在临时载体上方形成绝缘层；以及

在所述绝缘层中的开口内形成导电焊盘，之后将所述半导体晶粒安装在所述载体上方；

其中所述导电焊盘电连接到所述背面RDL。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述导电焊盘定位在所述半导体晶粒安装位点内部和外部以设置在所述半导体晶粒的占位面积内部和外部。