[发明专利]全模制的微型化半导体模块

说明书

本发明公开了一种半导体模块，该半导体模块可包括全模制基底部分，该全模制基底部分包括平坦表面，该全模制基底部分还包括半导体晶粒、导电柱及包封物，该半导体晶粒包括接触垫，该导电柱耦接至接触垫并延伸至该平坦表面，并且该包封物设置于该有源表面之上、四个侧表面之上并围绕该导电柱，其中该导电柱的末端在该全模制基底部分的平坦表面处自该包封物暴露。堆积互连结构包括可设置于该全模制基底部分之上的布线层。可光成像焊料屏蔽材料可设置于该布线层之上且包括开口，以形成电耦接至该半导体晶粒及该导电柱的表面安装装置(SMD)平台垫。可运用表面安装技术(SMT)将SMD组件电耦接至该SMD平台垫。

相关申请的交叉引用

本专利申请主张于2015年11月20日申请且题目为全模制微型化半导体模块(Fully Molded Miniaturized Semiconductor Module)的美国临时专利申请案第62/258,040号的权利(包括申请日期)，该案的公开内容兹以此引用方式并入本文中。本专利申请还是于2015年11月2日申请的题目为包括重分布层的半导体装置及其方法(SemiconductorDevice and Method Comprising Redistribution Layers)的美国申请案第14/930,514号的部分接续申请案，美国申请案第14/930,514号是于2015年3月9日申请的题目为包括加厚重分布层的半导体装置及其方法(Semiconductor Device and Method ComprisingThickened Redistribution Layers)的美国申请案第14/642,531号的部分接续申请案，美国申请案第14/642,531号主张于2014年3月10日申请的题目为具有厚重分布层迹线的晶圆级芯片尺度封装(Wafer-Level-Chip-Scale-Packages with Thick RedistributionLayer Traces)的美国临时专利第61/950,743号的权利，且进一步还是2014年12月29日申请的题目为全模制扇出晶圆级封装(Die Up Fully Molded Fan-Out Wafer LevelPackaging)的美国申请案第14/584,978号的部分接续申请案，美国申请案第14/584,978号是于2013年9月12日申请的题目为全模制扇出晶圆级封装(Die Up Fully Molded Fan-OutWafer Level Packaging)的美国申请案第14/024,928号的接续申请案，美国申请案第14/024,928号现在发布为专利第8,922,021号，其是于2012年9月30日申请的题目为全模制扇出晶圆级封装(Die Up Fully Molded Fan-Out Wafer Level Packaging)的美国申请案第13/632,062号的接续申请案，美国申请案第13/632,062号现在发布为专利第8,535,978号，其是于2011年12月30日申请的题目为全模制扇出(Fully Molded Fan-Out)的美国申请案第13/341,654号的部分接续申请案，美国申请案第13/341,654号现在发布为专利第8,604,600号，且主张于2012年7月18日申请的题目为扇出半导体封装(Fan-Out SemiconductorPackage)的美国临时专利案第61/672,860号的申请日期的权利，该案的公开内容以此引用方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及全模制半导体封装，并且更具体而言，涉及全模制扇出微型化模块、全模制扇出模块(FMFOM)、或微型化模块(下文中称为“模块”或“多个模块”)。模块可包括用于可穿戴的技术、用于物联网(IoT)装置或两者。

背景技术

半导体装置常见于现代电子产品中。半导体装置具有不同的电组件数量及电组件密度。离散半导体装置一般含有一种类型电组件，例如，发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器、及功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)。整合式半导体装置一般而言含有数百至数百万个电组件。整合式半导体装置的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合装置(CCD)、太阳能电池、及数字微镜装置(DMD)。